1 |
D. H. Lee, Y. J. Chang, G. S. Herman, and C. H. Chang, Adv. Mater., 19, 843 (2007). [DOI: http://dx.doi.org/10.1002/adma.200600961].
DOI
ScienceOn
|
2 |
Y. S. Rim, W. H. Jeong, D. L. Kim, H. S. Lim, K. M. Kim, and H. J. Kim, J. Mater. Chem., 22, 12491 (2012). [DOI: http://dx.doi.org/10.1039/c2jm16846d].
DOI
ScienceOn
|
3 |
M. G. Kim, M. G. Kanatzidis, A. Facchetti, and T. J. Marks, Nature Mater., 10, 382 (2011). [DOI: http://dx.doi.org/10.1038/nmat3011].
DOI
ScienceOn
|
4 |
W. B. Jackson, R. L. Hoffman, and G. S. Herman, Appl. Phys. Lett., 87, 193503 (2005). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.2120895].
DOI
ScienceOn
|
5 |
J. J. Chen, M. H. Yu, W. L. Zhou, K. Sun, L. M. Wang, Appl. Phys. Lett., 87, 173119, (2005). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.2119415].
DOI
ScienceOn
|
6 |
H. S. Lim, Y. S. Rim, D. L. Kim, W. H. Jeong, H. J. Kim, Electrochem. Solid-State Lett., 15, H78 (2012).
DOI
ScienceOn
|
7 |
Y. Choi, G. H. Kim, W. H. Jeong, J. H. Bae, H. J. Kim, J. M. Hong, J. W. Yu, Appl. Phys. Lett., 97, 162102 (2010). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3503964].
DOI
ScienceOn
|
8 |
H. Y. Chong, K. W. Han, Y. S. No, T. W. Kim, Appl. Phys. Lett., 99, 161908 (2011). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3655197].
DOI
ScienceOn
|
9 |
M. Takahashi, H. Kishida, A. Miyanaga, and S. Yamazaki, "Theoretical analysis of IGZO transparent amorphous oxide semiconductor," (in Proc. 15th Int. Display Workshop, Dec. 3, 2008), p. 1637-1640.
|
10 |
K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature (London), 432, 488 (2004). [DOI: http://dx.doi.org/10.1038/nature03090
DOI
ScienceOn
|
11 |
J. K. Jeong, J. H. Jeong, H. W. Yang, J. S. Park, Y. G. Mo, and H. D. Kim, Appl. Phys. Lett., 91, 113505 (2007).
DOI
ScienceOn
|
12 |
J. H. Kim, U. K. Kim, Y. J. Chung, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett., 98, 232102 (2011).
DOI
ScienceOn
|
13 |
B. Ryu, H. K. Noh, E. A. Choi, K. J. Chang, Appl. Phys. Lett., 97, 022108 (2010). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3464964].
DOI
ScienceOn
|
14 |
H. Oh, S.M. Yoon, M. K. Ryu, C. C. Hwang, S. Yang, S. H. K. Park, Appl. Phys. Lett., 97, 183502 (2010). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3510471].
DOI
ScienceOn
|