1 |
Z. J. Tang, H. N. Xu, H. T. Li, C. Yan, Y. D. Xia, J. Yin, X. H. Zhu, Z. G. Liu, A. D. Li, and F. Yan, Microelectron. Eng. 88, 3227 (2011) [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2011.06.025].
DOI
|
2 |
S. H. Lee, Y. Jung, R. Agarwal, Nat. Nanotechnol. 2, 626 (2007) [DOI: http://dx.doi.org/10.1038/nnano.2007.291].
DOI
ScienceOn
|
3 |
J. K. Bu and M. H. White, Solid State electron. 45, 113 (2001) [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/S0038-1101(00)00232-X].
DOI
ScienceOn
|
4 |
G. Zhang, X. P. Wang, W. J. Yoo, M. F. Li, IEEE Trans Electron Devices. 54, 3317 (2007) [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/TED.2007.908888 ].
DOI
ScienceOn
|
5 |
J. H. Kim, J.B. Choi, IEEE Trans. Electron Devices. 51, 2048 (2004) [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/TED.2004.838446 ].
DOI
ScienceOn
|
6 |
Z. J. Tang, Y. D. Xia, H. N. Xu, J. Yin, Z. G. Liu, A. D. Li, X. J. Liu, Y. Feng and X. L. Ji, Electrochem Solid State Lett. 14, G13 (2011) [DOI: http://dx.doi.org/10.1149/1.3518706].
DOI
|
7 |
X. Zhu, Y. Yang, Q. Li, D. E. Ioannou, J. S. Suehle, C. A. Richter, Microelectron. Eng. 85, 2403 (2008) [10.1016/j.mee.2008.09.013]
DOI
ScienceOn
|
8 |
Z. J.Tang, X. H. Zhu, H. N. Xu, Y. D. Xia, J. Yin, Z. G. Liu, A. D. Li and F. Yan, Materials Letters, 92, 21 (2013) [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2012.10.024].
DOI
|
9 |
Y. Zhou, J. Yin, H. N. Xu, Y. D. Xia, Z. G. Liu, A. D. Li, Y. P. Gong, L. Pu, F. Yan and Y. Shi, Appl. Phys. Lett. 97, 143504 (2010) [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3496437].
DOI
ScienceOn
|
10 |
Y. N. Tan, W. K. Chim. W. K. Choi, M. S. Joo and B. J. Cho, IEEE Trans. Electron Devices. 53, 654 (2006 ) [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/TED.2006.870273].
DOI
ScienceOn
|
11 |
M. S. Joo, B. J. Cho, C. C. Yeo, D. S. H. Chan, S. J. Whoang, S. Matthew, L. K. Bera, N. Bala and D. L. Kwong, IEEE Trans. Electron Devices, 50, 2088 (2003) [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/TED.2003.816920].
DOI
|
12 |
L. Liu, J. P. Xu, F. Ji, J. X. Chen, and P. T. Lai, Appl. Phys. Lett. 101, 033501 (2012) [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.4737158].
DOI
ScienceOn
|
13 |
A Roy. and M. H. White, Solid-State Electronics. 34, 1083 (1991) [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(91)90104-7].
DOI
|
14 |
Y. Hu and M. H. White, Solid State Electronics. 36, 1401 (1993) [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(91)90036-X].
DOI
|
15 |
S. J. Wrazien, Y. Zhao, J. D. Krayer and White M. H, Solid State Electronics. 47, 885 (2003) [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/S0038-1101(02)00448-3].
DOI
ScienceOn
|
16 |
Y. Yang, M. H. White, Solid State Electronics. 44, 949 (2000) [10.1016/S0038-1101(00)00012-5].
DOI
ScienceOn
|
17 |
C. S. Lai, K. M. Fan, H. K. Peng, S. J. Lin, C. Y. Lee and C. F. Ai, Appl. Phys. Lett. 90, 172904 (2007) [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.2975183].
DOI
|
18 |
S. Yamada, Y. Hiura, T. Yamane, K. Amemiya, Y. Oshima, and K. Yoshikawa, IEDM Tech. Dig., 23 (1993) [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/IEDM.1993.347407].
DOI
|
19 |
L. G. Gao, K. B. Yin, Y. D. Xia, L. Chen, H. X. Guo, L. Shi, J. Yin and Z. G. Liu, J Phys D Appl Phys. 42, 015306 (2009) [DOI: http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/42/1/015306].
DOI
|