1 |
N. Miura, Y. Abe, K. Sugihara, T. Oishi, T. Furukawa, T. Nakahata, K. Shiozawa, S. Maruno, and Y. Tokuda, IEEE Trans. Electron. Dev. 48, 1969 (2001)
DOI
ScienceOn
|
2 |
V. P. Gopinath, H. Puchner, and M. Mirabedini, IEEE Electron. Device Lett. 23, 312 (2002)
DOI
ScienceOn
|
3 |
K.-I. Goto, A. Fushida, J. Watanabe, T. Sukegawa, Y. Tada, T. Nakamura, T. Yamazaki, and T. Sugii, IEEE Trans. Electron. Dev. 46, 117 (1999)
DOI
ScienceOn
|
4 |
N. V. Loukianova, H. O. Folkerts, J. P. V. Maas, D. W. E. Verbugt, A. J. Mierop, W. Hoekstra, E. Roks, and A. J. P. Theuwissen, IEEE Trans. Electron. Dev. 50, 77 (2003)
DOI
ScienceOn
|
5 |
H. I. Kwon, I. M. Kang, B.-G. Park, J. D. Lee, and S. S. Park, IEEE Trans. Electron. Dev. 51, 178 (2004)
DOI
ScienceOn
|
6 |
C.-C. Wang, and C. G. Sodini, IEDM Tech. Dig. (2001) 563
|