1 |
J. Osaka, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa and T. Mizutani, Appl. Phys. Lett. 87, 222112 (2005).
DOI
|
2 |
A. Hierro, S. A. Ringel, M. Hansen, J. S. Speck, U. K. Mishra and S. P. Denbaars, Appl. Phys. Lett. 77, 1499 (2000).
DOI
|
3 |
T. Mattila and R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 54, 16676 (1996).
DOI
|
4 |
A. Mao, J. Cho, Q. Dai, E. F. Schubert, J. K. Son and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 98, 023503 (2011).
DOI
|
5 |
V. Kuksenkov, H. Temkin, A. Osinsky, R. Gaska and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 72, 1365 (1998).
DOI
|
6 |
J. Toivonen, T. Hakkarainen, M. Sopanen, H. Lipsanen, J. Oila and K. Saarinen, Appl. Phys. Lett. 82, 40 (2003).
DOI
|
7 |
R. Armitage, W. Hong, Q. Yang, H. Feick, J. Gebauer, E. R. Weber, S. Hautakangas and K. Saarinen, Appl. Phys. Lett. 82, 3457 (2003).
DOI
|
8 |
M. W. Bayerl, M. S. Brandt, O. Ambacher, M. Stutzmann, E. R. Glaser, R. L. Henry, A. E. Wickenden, D. D. Koleske, T. Suski, I. Grzegory and S. Porewski, Phys. Rev. B 63, 125203 (2001).
DOI
|
9 |
Q. Yan, A. Janotti, M. Scheffler and C. G. van de Walle, Appl. Phys. Lett. 100, 142110 (2012).
DOI
|
10 |
L. Lymperakis, J. Neugebauer, M. Albrecht, T. Remmele and H. P. Strunk, Phys. Rev. Lett. 93, 196401 (2004).
DOI
|
11 |
H. Hirayama, S. Fujikawa, N. Noguchi, J. Norimatsu, T. Takano, K. Tsubaki and N. Kamata, Phys. Stat. Sol. (a) 206, 1176 (2009).
DOI
|
12 |
U. Kasten, D. Beyersmann, J. Dahm-Daphi and A. Harwig, Mutat. Res. 336, 143 (1995).
DOI
|
13 |
H. Kudo, M. Sawai, Y. Suzuki, X. Wang, T. Gessei, D. Takahasho, T. Arakawa and K. Mitsubayashi, Sens. Actuator B-Chem. 147, 676 (2010).
DOI
|
14 |
R. Nana, P. Gnanachchelvi, M. A. Awaah, M. H. Gowda, A. M. Kamto, Y.Wang, M. Park and K. Das, Phys. Stat. Sol. (a) 207, 1489 (2010).
DOI
|
15 |
E. Jung, S. Jeong, J. H. Ryou and H. Kim, J. Nanosci. Nanotechnol. 17, 7339 (2017).
DOI
|
16 |
L. R. Trevisanello, M. Meneghini, G. Mura, C. Sanna, S. Buso, G. Spiazzi, M. Vanzi, G. Meneghesso and E. Zanoni, Proc. SPIE 6669, 666913 (2007).
|
17 |
L. Trevisanello, M. Meneghini, G. Mura, M. Vanzi, M. Pavesi, G. Meneghesso and E. Zanoni, IEEE Trans. Device Mater. Reliab. 8, 304 (2008).
DOI
|
18 |
E. Jung, M. Kim and H. Kim, IEEE Trans. Electron. Dev. 60, 186 (2013).
DOI
|
19 |
M. Meneghesso and E. Zanoni, IEEE Trans. Electron Dev. 53, 2981 (2006).
DOI
|
20 |
W. Shockley and Bell Syst. Tech. J. 28, 435 (1949).
DOI
|
21 |
H. Kim, J. Cho, Y. Park and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 92, 092115 (2008).
DOI
|
22 |
D. Zhu, A. N. Noemaun, J. Kim, E. F. Schubert, M. H. Crawford and D. D. Koleske, Appl. Phys. Lett. 94, 081113 (2009).
DOI
|
23 |
M. Meneghini, A. Tazzoli, G. Mura, G. Meneghesso and E. Zanoni, IEEE Trans. Electron Dev. 57, 108 (2010).
DOI
|
24 |
J. Close, J. Ip and K. H. Lam, Renew. Energy 31, 1657 (2006).
DOI
|
25 |
J. L. Shie, C. H. Lee, C. S. Chiou, C. T. Chang, C. C. Chang and C. Y. Chang, J. Hazard. Mater. 155, 164 (2008).
DOI
|
26 |
M. Menegehini, L. R. Trevisanello, G. Meneghesso and E. Zanoni, IEEE Trans. Device Mater. Reliab. 8, 323 (2008).
DOI
|
27 |
M. A. Khan, Phys. Stat. Sol. (a) 203, 1764 (2006).
DOI
|
28 |
L. X. Zhao, E. J. Thrush, C. J. Humphreys and W. A. Phillips, J. Appl. Phys. 103, 024501 (2008).
DOI
|
29 |
G. Meneghesso, S. Levada, R. Pierobon, F. Rampazzo, E. Zanoni, A. Cavallini, A. Castaldini, G. Scamarcio, S. Du and I. Eliasevich, in IEDM Tech. Dig. 103 (2002).
|
30 |
E. Jung, J. H. Ryou, C. H. Hong and H. Kim, J. Electrochem. Soc. 158, H132 (2011).
DOI
|
31 |
R. Mueller-Mach, G. Mueller, M. Krames and T. Trottier, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 339 (2002).
DOI
|
32 |
M. Meneghini, M. laGrassa, S. Vaccari, B. Galler, R. Zeisel, P. Drechsel, B. Hahn, G. Meneghesso and E. Zanoni, Appl. Phys. Lett. 104, 113505 (2014).
DOI
|
33 |
L. Hirsch and A. S. Barriere, J. Appl. Phys. 94, 5014 (2003).
DOI
|
34 |
A. Rose, Phys. Rev. 97, 1538 (1955).
DOI
|
35 |
M. A. Lambert and P. Mark, Current Injection in Solids (Academic Press, New York, 1970).
|