1 |
S. H. Ko, D. Lee, H. W. Kang, K. H. Nam, J. Y. Yeo, S. J. Hong, C. P. Grigoropoulos and H. J. Sung, Nano Lett., 2011, 11(2), 666-671.
DOI
|
2 |
F. Sauvage, D. Chen, P. Comte, F. Huang, L. P Heiniger., Y. B. Cheng, R. A. Caruso and M. Gratzel, ACS Nano, 2010, 4(8), 4420-4425.
DOI
|
3 |
T. K. Yun, S. S. Park, D. Kim, Y. K. Hwang, S. Huh, J. Y. Bae and Y. S. Won, J. Power Sources, 2011, 196(7), 3678-3682.
DOI
|
4 |
X.-D. Gao, X.-M. Li, X.-Y. Gan, Y.-Q. Wu, R.-K. Zheng, C.-L. Wang, Z.-Y. Gu and P. He, J. Mater. Chem., 2012, 22(36), 18930-18938.
DOI
|
5 |
K. Fan, W. Zhang, T. Peng, J. Chen and F. Yang, J. Phys. Chem. C, 2011, 115(34), 17213-17219.
DOI
|
6 |
J. Qiu, F. Zhuge, X. Li, X. Gao, X. Gan, L. Li, B. Weng, Z. Shi and Y. H. Hwang, J. Mater. Chem., 2012, 22(8), 3549-3554.
DOI
|
7 |
N. C. Jeong, C. Prasittichai and J. T. Hupp, Langmuir, 2011, 27(23), 14609-14614.
DOI
|
8 |
S. M. Mahpeykar, J. Koohsorkhi and H. Ghafoori-fard, Nanotechnology, 2012, 23, 165602.
DOI
|
9 |
H. J. Koo, J. Park, B. Yoo, K. Yoo, K. Kim and N. G. Park, Inorg. Chim. Acta, 2008, 361, 677-683.
DOI
|
10 |
X. Liu, M. Guo, J. Cao, J. Lin, Y. H. Tsang, X. Chen and H. Haung, Nanoscale Research Letters, 2014, 9, 362.
DOI
|
11 |
M. D. Brown, T. Suteewong, R. S. S. Kumar, V. D. Innocenzo, A. Petrozza, M. M. Lee, U. Wiesner and H. J. Snaith, Nano Lett., 2011, 11(2), 438-445.
DOI
|
12 |
H. Choi, W. T. Chen and P. V. Kamat, ACS Nano, 2012, 6(5), 4418-4427.
DOI
|
13 |
B. Mandlmeier, J. M. Szeifert, D. Fattakhova-Rohlfing, H. Amenitsch and T. Bein, J. Am. Chem. Soc., 2011, 133, 17274-17282.
DOI
|
14 |
A. Mihi, C. Zhang and P. V. Braun, Angew. Chem. Int. Ed., 2011, 50, 5712-5715.
DOI
|
15 |
W. Zhang, M. Anaya, G. Lozano, M. E. Calvo, M. B. Johnston, H. Miguez and H. J. Snaith, Nano Lett., 2015, 15, 1698-1702.
DOI
|
16 |
E. Yablonovitch and G. D. Cody, IEEE Trans. Electron Dev., 1982, 29(2), 300-305.
DOI
|
17 |
P. Campbell and M. A. Green, J. Appl. Phys., 1987, 62(1), 243-249.
DOI
|
18 |
A. W. Smith and A. Rohatgi, Sol. Energy Mat. Sol. C., 1993, 29, 37-49.
DOI
|
19 |
S. Wooh, H. Yoon, J. Jung, Y. Lee, J. H. Koh, B. Lee, Y. S. Kang and K. Char, Adv. Mater., 2013, 25, 3111-3116.
DOI
|
20 |
S. Q. Hussain, S. Ahn, H. Park, G. Kwon, J. Raja and Y. Lee, Vacuum, 2013, 94, 87-91.
DOI
|
21 |
C. H. Lee, P. T. Hsiao, M. D. Lu and J. M. Wu, RSC Adv., 2013, 3, 2216-2218.
DOI
|
22 |
L. Chen, M. M. Alkaisi and M. Y. Liao, J. Nonlinear Optic. Phys. Mat., 2010, 19, 761-766.
DOI
|
23 |
S. M. Kong, Y. Xiao, K. H. Kim, W. I. Lee and C. W. Chung, Thin Solid Films, 2011, 519, 3173-3176.
DOI
|
24 |
N. C. D. Nath, I. S. Jung, S.-W. Kim and J.-J. Lee, Sol. Energy, 2016, 134, 399-405.
DOI
|
25 |
C. Gerhards, C. Marckmann, R. Tolle, M. Spiegel, P. Fath, G. Willeke, E. Bucher, J. Creager and S. Narayanan, Proceedings of the 26th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 1997, 43-46.
|
26 |
W. A. Nositschka, C. Beneking, O. Voigt and H. Kurz, Sol. Energy Mat. Sol. C., 2003, 76(2), 155-166.
DOI
|
27 |
L. A. Dobrzanski, A. Drygała, K. Gołombek, P. Panek, E. Bielanska and P. Zieba, J. Mater. Process. Tech., 2008, 201(1-3), 291-296.
DOI
|
28 |
M. J. Sailor, Porous Silicon in Practice: Preparation, Characterization and Applications, Wiley, New York (2012).
|
29 |
A. Langner, F. Muller, U. Gosele, O. Hayden, K. Nielsch (Eds.), Molecular- and Nano-Tubes, Springer, New York, 431 (2011).
|
30 |
M. Nazari and S. Khatami, Sensor Mater., 2013, 25, 131-140.
|
31 |
S. Ito, T. N. Murakami, P. Comte, P. Liska, C. Gratzel, M. K. Nazeeruddin and M. Gratzel, Thin Solid Films, 2008, 516, 4613-4619.
DOI
|
32 |
N.-G. Park, J. van de Lagemaat and A. J. Frank, J. Phys. Chem. B, 2000, 104, 8989-8994.
|
33 |
Y. S. Jin, K. H. Kim and H. W. Choi, J. Korean Phys. Soc., 2010, 57, 1049-1053.
DOI
|
34 |
R. Kern, R. Sastrwan, J. Ferber, R. Stangl and J. Luther, Electrochim. Acta., 2002, 47, 4213-4225.
DOI
|
35 |
A. Sharma, R. K. Karn and S. K. Pandiyan, Int. J. Appl. Eng. Res., 2013, 8, 2057-2066.
|
36 |
M. Aliaghayee, H. Ghafoori Fard and A. Zandi, J. Porous Mater., 2015, 22, 1617-1626.
DOI
|
37 |
J. Bisquert, Phys. Chem. Chem. Phys., 2000, 2, 4185-4192.
DOI
|
38 |
Q. Wang, J.-E. Moser, and M. Gratzel, J. Phys. Chem. B, 2005, 109, 14945-14953.
DOI
|
39 |
M. A. Green, Solid State Electronics, 1981, 24, 788-789.
DOI
|