Fabrication of IMT-2000 Linear Power Amplifier using Current Control Adaptation Method in Signal Cancelling Loop |
오인열
(광운대학교 전자공학과)
이창희 (광운대학교 전자공학과) 정기혁 (광운대학교 전자공학과) 조진용 (광운대학교 전자공학과) 라극한 (광운대학교 전자공학과) |
1 | Perter Sahjani., 'Life Time Effects in Pin Diode,' RF Expo East Proc. pp. 49-57, November 11-13 1987 |
2 | 발명자 김 영 외 8명, 삼성전자 주식회사 출원 '선형 증폭 장치 및 방법,' 특1998-069488, 1998, 10 |
3 | 발명자 장익수 외 2명, 주식회사 케이엠더블유 출원, '피드포워드 증폭기' 특1998-028878, 1998, 07 |
4 | Jean-Serge Cardinal, Fadhel M. Ghannouchi, 'A New Adaptive Double Envelope Feedback (ADEF) Linearizer for Solid State Power Amplifiers,' IEEE Trans. Microwave Theory and Tech., vol. 43, Jul 1995 DOI ScienceOn |
5 | Perter B. Kenington, 'High Linearity RF Amplifier Design,' Artech House, Boston.London, 2000 |
6 | Alpha Industries, Inc., 'Design with PIN Diodes,' Application Note, APN1002, 1999 |
7 | ETSI TS 125 104 : Universal Mobile Telecommunications System (UMTS); UTRA (BS) FDD; Radio transmission and reception(3G TS 25.104 version 3.2.0 Release 1999) |
8 | Motorolla semiconductor Technical Data, 'The RF-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs,' MRF21180/D |