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http://dx.doi.org/10.4491/KSEE.2012.34.6.391

Destruction of $NF_3$ Emitted from Semiconductor Process by Electron Beam Technology  

Ryu, Jae-Yong (Korea Atomic Energy Research Institute)
Choi, Chang-Yong (Korea Atomic Energy Research Institute)
Kim, Jong-Bum (Korea Atomic Energy Research Institute)
Lee, Sang-Jun (Environment & Energy Convergence Technology R&D Center Pyeongtaek University)
Kim, Seung-Gon (CSK)
Kwak, Hee-Sung (Korea Atomic Energy Research Institute)
Yun, Young-Min (Korea Atomic Energy Research Institute)
Publication Information
Journal of Korean Society of Environmental Engineers / v.34, no.6, 2012 , pp. 391-396 More about this Journal
Abstract
The destruction study of $NF_3$ gas emitted from the semiconductor industry is performed with electron-beam technology. Absorbed dose (kGy) and current ranged from 0 (0) to 400 kGy (20 mA). The concentration of $NF_3$ gas ranged from 500 to 2,000 ppm. In order to assess the effect of a residence time on DRE (Destruction and Removal Efficiency, %), experiments also conducted at different irridiation times of 5 sec, 10 sec, 15 sec and 20 sec respectively. As absorbed dose and current increased, DRE of $NF_3$ was also increased. However, DRE (%) of $NF_3$ decreased with increasing the concentration of $NF_3$ gas. The DRE of $NF_3$ was about 90% at an absorbed dose of 400 kGy.
Keywords
Electron-Beam; PFCs; $NF_3$; Semiconductor Process;
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