The Influence of AlN Buffer Layer Thickness on the Growth of GaN on a Si(111) Substrate with an Ultrathin Al Layer |
Kwon, Hae-Yong
(Department of applied sdences, korea Maritime University)
Moon, Jin-Young (Department of applied sdences, korea Maritime University) Bae, Min-Kun (Basics Science Research Institute, Pukyong National University) Yi, Sam-Nyung (Department of Applied Science, Korea Maritime University) Shin, Dae-Hyun (Division of Advanced Technology, Korea Research Institute of Standards and Science) |
1 | L.Liu, J.H.Edgar, Materials Science and Engineering, R 37, 61 (2002). |
2 | N. C. Chen, C. F. Shih, C. A. Chang, A. P. Chiu, S. D. Teng and K. S. Liu, phys. stat. sol.(b), 241, 2698 (2004). DOI ScienceOn |
3 | X. Ni, L. Zhu, Z. Ye, Z. Zhao, H. Tang, W. Hong, B. Zhao, Surface & Coatings technology, 198, 350 (2005). DOI ScienceOn |
4 | Y. Lu, X. Liu, X. Wang, D. C. Lu, D. Li, X. Han, G. Cong and Z. Wang, J. Crystal Growth, 263, 4 (2004). DOI ScienceOn |
5 | P. W. Yu, C. S. Park, and S. T. Kim, J. Appl. Phys., 89, 1692 (2001). DOI ScienceOn |
6 | S. T. Kim, Y. J. Lee, S. H. Chung and D. C. Moon, J. Korean Phys. Soc., 33, 313 (1998). |
7 | E. C. Piquette, P. M. Bridger, Z. Z. Bandic, T. C. McGill, J.Vac.Sci.Tech. B, 17, 1241 (1999). DOI |
8 | D. H. Shin, M. K. Bae, S. N. Yi, J. H. Na, A. M. Green, R. A. Taylor, Y. J. Cho, H. M. Cho and S. H. Park, J. Korean Phys. Soc., 48, 1255 (2006). |
9 | J. W. Lee, S. H. Jung, H. Y. Shin, I. H. Lee, C. W. Yang, S. H. Lee and J. B. Yoo, J. Crystal Growth, 237, 1094 (2002). DOI ScienceOn |
10 | T. Sasaki, J. Crystal Growth, 129, 81 (1993). DOI ScienceOn |
11 | H. Schulz and K.H.Thiemann, Solid State Commun., 23, 815 (1997). |
12 | H. K. Cho, J. Y. Lee, K. S. Kim and G. M. Yang, J. Korean Phys. Soc., 39, 622 (2001). |
13 | K. Kusaka, T. Hanabusa, K. Tominaga, Vacuum , 74, 613 (2004). DOI ScienceOn |
14 | T. Minegishi, T. Suzuki, C. Harada, H. Goto, M. W. Cho, T. Yao, Current Applied Physics, 4, 685 (2004). DOI ScienceOn |
15 | H. Ishikawa, G. Y. Zhao, N. Nakada, T. Egawa, T. Jinbo and M. Umeno, Jpn. J. Appl. Phys., 38, L492 (1999). DOI |
16 | S. N. Yi, H. S. Ahn, M. Yang, K. H. Kim, H. Kim, J. Y. Yi, J. H. Chang, H. S. Kim, S. C. Lee and S. W. Kim, J. Korean Phys. Soc., 45, S598 (2004). |
17 | H. J. Kim, H. S. Paek, and J. B. Yoo, Surface and coatings Technology, 131, 465 (2000). DOI ScienceOn |
18 | Y. Lu, X. Liu, D. C. Lu, H. Yuan, Z. Chen, T. Fan, Y. Li, P. Han, X. Wang, D. Wang, Z. Wang, J. Crystal Growth, 236, 77 (2002). DOI ScienceOn |
19 | K. H. Kim, H. Kim, M. Yang, H. S. Ahn, S. N. Yi, N. Kameshiro, Y. Honda, M. Yamaguchi and N. Sawaki, J. Korean Phys. Soc., 42, S219 (2003). |
20 | B. S Zhang, M. Wu, X. M. Shen, J. Chen, J. J. Zhu, J. P. Liu, G. Feng, D. G Zhao, Y. T. Wang, and H. Yang, J. Crystal Growth, 258, 34 (2003). DOI ScienceOn |
21 | K. H. Lee, J. H. Na, R. A. Taylor, S. N. Yi, S. Birner, Y. S. Park, C. M. Park and T. W. Kang, Appl. Phys. Lett., 89, 023103 (2006). DOI ScienceOn |
22 | S. S. Lee, I. S. Seo, K. J. Kim and C. R. Lee, J. Korean Phys. Soc., 45, 1356 (2004). |