1 |
L. J. Mahoney, A. E. Wendt, E. Barrios, C. J. Richards and J. L. Shohet, J. Appl. Phys., 76, pp.2041, 1994.
DOI
|
2 |
L. G. Zhang, D. Z. Chen, D. Li, K. F. Liu, X. F. Li, R. M. Pan, M. W. Fan, Fusion Engineering and Design 103, pp74-80, 2016.
DOI
|
3 |
Y. J. Lee, K. N. Kim, B. K. Song, G. Y. Yeom, Mater. Sci. Semicond. Process., 5, pp419, 2003.
DOI
|
4 |
Y. Horiike, H. Okano, T. Yamazaki, H. Horie, Jpn. J. Appl. Phys., 20, ppL817, 1981.
DOI
|
5 |
M. H. Khater, L. J. Overzet, J. Vac. Sci. Technol. A, 19(3), pp785, 2001.
DOI
|
6 |
Y. Wu, M. A. Lieberman, Appl. Phys. Lett., 72, pp777, 1998.
DOI
|
7 |
M. Kanoh, K. Suzuki, K. Tonotani, K. Aoki, M. Yamage, Jpn. J. Appl. Phys., 40, pp5419, 2001.
DOI
|
8 |
J. L. Crowley, Solid State Technol., 35, pp94, 1992.
|
9 |
F. Mendoza, B. Sarette, D. McReynolds, B. Richardson, J. Holland, Semiconductor International., pp143, 1999.
|
10 |
C. Y. Chang, S. M. Sze, ULSI technology New York: McGraw-Hill, pp329, 1996.
|
11 |
P. W. Lee, D. Shaw, P. Gonzales, G. J. Collins, J. Vac. Sci. Technol. A, 13(3), pp871, 1995.
DOI
|
12 |
I. P. Ganachev, M. Moriyama, D. Ogawa and K. Nakamura, 2016 Progress In Electromagnetic Research Symposium (PIERS), Shanghai, China, 8-11 August, 2016.
|
13 |
I. Lin, D. C. Hinson, W. H. Class, R. L. Sandstrom, Appl. Phys. Lett., 44, pp185, 1984.
DOI
|
14 |
J. Hopwood, Plasma Sources Sci. Technol., 3(4), pp.460-464, 1994.
DOI
|