접착 및 계면 (Journal of Adhesion and Interface)

  • 제24권2호
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  • Pages.60-63
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  • 2023
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  • 1229-9243(pISSN)
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  • 2233-8217(eISSN)
한국접착및계면학회 (The Society of Adhesion and Interface, Korea)
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In-situ SiN 패시베이션 층에 따른 AlGaN/GaN HEMTs의 전기적 및 저주파 잡음 특성

Electrics and Noise Performances of AlGaN/GaN HEMTs with/without In-situ SiN Cap Layer

  • 최여진 (금오공과대학교 신소재공학부) ;
  • 백승문 (금오공과대학교 신소재공학부) ;
  • 이유나 (금오공과대학교 신소재공학부) ;
  • 안성진 (금오공과대학교 신소재공학부)
  • Yeo Jin Choi (School of Materials Science and Engineering, Kumoh National Institute of Technology) ;
  • Seung Mun Baek (School of Materials Science and Engineering, Kumoh National Institute of Technology) ;
  • Yu Na Lee (School of Materials Science and Engineering, Kumoh National Institute of Technology) ;
  • Sung Jin An (School of Materials Science and Engineering, Kumoh National Institute of Technology)
  • 투고 : 2023.04.04
  • 심사 : 2023.05.04
  • 발행 : 2023.06.30
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초록

AlGaN/GaN 이종접합 구조는 이차원 전자 가스층(2-DEG)으로 인해 높은 전자이동도를 갖고 있으며, 넓은 밴드갭을 갖기 때문에 고온에서 높은 항복전압을 갖는 특성을 가지고 있어, 고전력, 고주파 전자 소자로 주목받고 있다. 이러한 이점을 갖고 있음에도 불구하고, 전류 붕괴 등의 다양한 소자 신뢰성에 영향을 주는 인자들이 있기 때문에 이를 해결하고자, 본 논문에서는 금속-유기-화학기상증착법을 이용하여 AlGaN/GaN 이종 접합구조와 SiN 패시베이션 층을 연속 증착시켰다. 이를 통해 HEMTs소자에 SiN패시베이션이 미치는 재료 특성 및 전기적 특성을 분석했으며, 결과를 바탕으로 저주파 잡음 특성을 측정해 소자의 전도 메커니즘 모델과 채널 내의 결함의 원인에 대해서 분석하였다.

The AlGaN/GaN heterostructure has high electron mobility due to the two-dimensional electron gas (2-DEG) layer, and has the characteristic of high breakdown voltage at high temperature due to its wide bandgap, making it a promising candidate for high-power and high-frequency electronic devices. Despite these advantages, there are factors that affect the reliability of various device properties such as current collapse. To address this issue, this paper used metal-organic chemical vapor deposition to continuously deposit AlGaN/GaN heterostructure and SiN passivation layer. Material and electrical properties of GaN HEMTs with/without SiN cap layer were analyzed, and based on the results, low-frequency noise characteristics of GaN HEMTs were measured to analyze the conduction mechanism model and the cause of defects within the channel.

키워드

과제정보

이 연구는 금오공과대학교 학술연구비로 지원되었음 (202001480001).

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