References
- E. Kratschmer, H. S. Kim, M. G. R. Thomson, K. Y. Lee, S. A. Rishton, M. L. Yu, S. Zolgharnain, B. W. Hussey, T. H. P. Chang, J. Vac. Sci. Technol. B, 14(6), 3792 (1996) https://doi.org/10.1116/1.588669
- T, H. P. Chang, M. G. R. Thomson, E. Kratschmer, H. S. Kim, M. L. Yu, K. Y. Lee, S. A. Rishton, B. W. Hussey, S. Zolgharnain, J. Vac. Sci. Technol. B, 14(6), 3774 (1996) https://doi.org/10.1116/1.588666
- H. S. Kim, M. L. Yu, U. Staufer, L. P. Muray, D. P. Kern, T. H. P. Chang, J. Vac. Sci. Technol. B, 11(6), 2327 (1993) https://doi.org/10.1116/1.586981
- J. H. Ryu, J. S. Kang, K. C. Park, Materials, 5(11), 2353 (2012) https://doi.org/10.3390/ma5112353
- J. M. Bonard, K. A. Dean, B. F. Coll, C. Klinke, Phys. Rev. Lett., 89(19), 197602 (2002) https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.89.197602
- N. D. Jonge, N. J. van Druten, Ultramicroscopy, 95, 85 (2003) https://doi.org/10.1016/S0304-3991(02)00301-7
- S. K. Kanth, A. Sharma, B. C. Park, H. S. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B, 34(1), 011805 (2016) https://doi.org/10.1116/1.4939834
- T. H. P. Chang, D. P. Kern, L. P. Muray, J. Vac. Sci. Technol. B, 8(6), 1698 (1990) https://doi.org/10.1116/1.585142
- M. G. R. Thomson, T. H. P. Chang, J. Vac. Sci. Technol. B, 13(6), 2445 (1995) https://doi.org/10.1116/1.588018
- H. Kim, C. H. Han, K. J. Chun, Jap. J. App. Phys., 42(6B), 4084 (2003) https://doi.org/10.1143/JJAP.42.4084
- H. Kim, C. H. Han, J. W. Kim, H. S. Kim, K. J. Chun, J. Vac. Sci. Technol. B, 22(6), 2912 (2004) https://doi.org/10.1116/1.1824952
- J. W. Jeong, D. J. Kim, H. S. Kim, S. K. Choi, D. Y. Kim, H. R. Lee, Jap. J. App. Phys., 44(7B), 5565 (2005) https://doi.org/10.1143/JJAP.44.5565
- T, H. P. Chang, D. P. Kern, M. A. McCord, J. Vac. Sci. Technol. B, 7(6), 1855 (1989) https://doi.org/10.1116/1.584680
- T, H. P. Chang, D. P. Kern, L. P. Muray, J. Vac. Sci. Technol. B, 10(6), 2743 (1992) https://doi.org/10.1116/1.585994
- K. Y. Lee, S. A. Rishton, T. H. P. Chang, J. Vac. Sci. Technol. B, 12(6), 3425 (1994) https://doi.org/10.1116/1.587525
- K. Y. Lee, N. LaBianca, S. A. Rishton, S. Zolgharnain, J. D. Gelorme, J. Shaw, T. H. P. Chang, J. Vac. Sci. Technol. B, 13(6), 3012 (1995) https://doi.org/10.1116/1.588297
- M. G. R. Thomson, J. Vac. Sci. Technol. B, 14(6), 3802 (1996) https://doi.org/10.1116/1.588671
- M. Mankos, K. Y. Lee, L. Muray, J. Spallas, Y. Hsu, C. Stebler, W. DeVore, E. Bullock, T. H. P. Chang, J. Vac. Sci. Technol. B, 18(6), 3057 (2000) https://doi.org/10.1116/1.1321756
- T. S. Oh, D. W. Kim, S. J. Ahn, H. S. Kim, J. Vac. Sci. Technol. A, 31(6), 061601 (2013)
- T. S. Oh, H. S. Kim, S. J. Ahn, D. W. Kim, Ultramicroscopy, 136, 171 (2014) https://doi.org/10.1016/j.ultramic.2013.10.003
- J. Y. Park, J. D. Lera, M. A. Yakshin, S. S. Choi, Y. Lee, K, J. Chun, J. D. Lee, D. Jeon, Y. Kuk, J. Vac. Sci. Technol. B, 15(6), 2749 (1997) https://doi.org/10.1116/1.589720
- L. P. Muray, K. Y. Lee, J. P. Spallas, M. Mankos, Y. Hsu, M. R. Gmur, H. S. Gross, C. B. Stebler, T. H. P. Chang, Microelectron. Eng., 53, 271 (2000) https://doi.org/10.1016/S0167-9317(00)00313-0
- T. H. P. Chang, M. Mankos, K. Y. Lee, L. P. Muray, Microelectron. Eng., 57-58, 117 (2001) https://doi.org/10.1016/S0167-9317(01)00528-7
- H. S. Kim, D. W. Kim, S. Ahn, S. S. Park, M. H. Seol, Y. C. Kim, S. K. Choi, D. Y. Kim, J. Korean Phys. Soc., 45, 1214 (2004)
- H. S. Kim, D. W. Kim, S. Ahn, Y. C. Kim, J. W. Cho, S. K. Choi, and D. Y. Kim, Microelectron. Eng., 78-79, 55 (2005) https://doi.org/10.1016/j.mee.2004.12.092
- U. Staufer, L. P. Murray, O. P. Kern, T. H. P. Chang, J. Vac. Sci. Technol. B, 9(6), 2962 (1991) https://doi.org/10.1116/1.585634
- M. L. Yu, H. W. Hussey, H. S. Kim, T. H. P. Chang, J. Vac. Sci. Technol. B, 12(6), 3431 (1994) https://doi.org/10.1116/1.587526
- H. S. Kim, M. L. Yu, E. Kratschmer, M. G. R. Thomson, and T. H. P. Chang, J. Vac. Sci. Technol. B, 12(6), 3413 (1994) https://doi.org/10.1116/1.587523
- H. S. Kim, M. L. Yu, E. Kratschmer, M. G. R. Thomson, and T. H. P. Chang, J. Appl. Phys., 81(1), 461 (1997) https://doi.org/10.1063/1.364081
- E. Kratschmer, H. S. Kim, M. G. R. Thomson, K. Y. Lee, S. A. Rishton, M. L. Yu, and T. H. P. Chang, J. Vac. Sci. Technol. B, 12(6), 3503 (1994) https://doi.org/10.1116/1.587459
- L. W. Swanson, J. Vac. Sci. Technol., 12(6), 1228 (1975) https://doi.org/10.1116/1.568503
- M. Gesley, J. Appl. Phys., 65(3), 914, (1989) https://doi.org/10.1063/1.342993
- M. G. R. Thomson, R. Liu, R. J. Collier, H. T. Carroll, E. T. Doherty, R. G. Murray, J. Vac. Sci. Technol. B, 5(1), 53 (1987) https://doi.org/10.1116/1.583926
- M. G. R. Thomson, J. Vac. Sci. Technol. B, 12(6), 3498 (2014) https://doi.org/10.1116/1.587458
- W. I. Milne, K. B. K. Teo, G. A. J. Amaratunga, P. Legagneux, L. Gangloff, J-P. Schnell, V. Semet, V. Thien Binh, O. Groeningd, J. Mater. Chem., 14, 933 (2004) https://doi.org/10.1039/b314155c
- J. H. Ryu, K. S. Kim, C. S. Lee, J. Jang, K. C. Park, J. Vac. Sci. Technol. B, 26(2), 856 (2008) https://doi.org/10.1116/1.2884757
- J. W. Jeong, J. W. Kim, J. T. Kang, S. Y. Choi, S. J. Ahn, Y. H Song, Nanote chnology, 24(8), 085201 (2013) https://doi.org/10.1088/0957-4484/24/8/085201
- J. W. Kim, J. W. Jeong, J. T. Kang, S. Y. Choi, S. J. Ahn, Y. H. Song, Nanote chnology, 25(6), 065201 (2014) https://doi.org/10.1088/0957-4484/25/6/065201
- J. W. Kim, J. W. Jeong, J. T. Kang, S. Y. Choi, S. R. Park, M. S. Shin, S. J. Ahn, Y. H. Song, Carbon, 82, 245 (2015) https://doi.org/10.1016/j.carbon.2014.10.068