전기전자학회논문지 (Journal of IKEEE)

  • 제23권3호
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  • Pages.1015-1019
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  • 2019
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  • 1226-7244(pISSN)
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  • 2288-243X(eISSN)
한국전기전자학회 (Institute of Korean Electrical and Electronics Engineers)
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Stack 기술을 이용한 향상된 감내 특성을 갖는 SCR 기반 ESD 보호 소자에 관한 연구

A Study on SCR-Based ESD Protection Device with Improved Robustness Using Stack Technology

  • 투고 : 2019.09.10
  • 심사 : 2019.09.26
  • 발행 : 2019.09.30
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초록

본 논문에서는 트리거 전압과 감내 특성을 개선시키기 위해 HHVSCR의 구조적 변경을 바탕으로 Stack 기술을 적용한 새로운 ESD 보호 소자를 제안한다. 우선 HHVSCR과 제안된 ESD 보호 소자를 비교하여 트리거 전압과 홀딩 전압, 감내 특성을 확인하였고 게이트 길이에 대한 변수를 추가하였다. 마지막으로, 제안된 ESD 보호 소자와 Stack을 적용한 소자를 비교하여 트리거 전압과 홀딩 전압, 감내 특성을 비교하였다.

In this paper, a new ESD protection device is proposed to improve the trigger voltage and robustness. The HHVSCR and the proposed device were compared to verify the trigger voltage, the holding voltage and the robustness. The gate length was modified to verify the electrical characteristics. The trigger voltage, the holding voltage and the robustness were certified by comparing the proposed device and the stacking structure.

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참고문헌

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