2차원 소재 위 고품위 원자층 박막 증착을 위한 상압 플라즈마 기반 표면 활성화 기술

  • 강명훈 (광운대학교 전기공학과) ;
  • 이태훈 (광운대학교 전기공학과)
  • 발행 : 2019.02.01

초록

키워드

참고문헌

  1. C. Lee, X. Wei, J. W. Kysar, and J. Hone, Science, 312, 385 (2008).
  2. F. Schwierz, Nat. Nanotechnol., 5, 487 (2010). https://doi.org/10.1038/nnano.2010.89
  3. Y. Shao, J. Wang, H. Wu, L. Jun, I. A. Aksay, and Y. Lin, Electroanalysis, 22, 1027 (2010). https://doi.org/10.1002/elan.200900571
  4. N. Li, X. Zhang, Q. Song, R. Su, Q. Zhang, T. Kong, L. Liu, G. Jin, M. Tang, and G. Cheng, Biomaterials, 32, 9374 (2011). https://doi.org/10.1016/j.biomaterials.2011.08.065
  5. K. S. Kim, Y. Zhao, H. Jang, S. Y. Lee, J. M. Kim, K. S. Kim, J. H. Ahn, P. Kim, J. Y. Choi, and B. H. Hong, Nature, 457, 706 (2009). https://doi.org/10.1038/nature07719
  6. S. K. Lee, B. J. Kim, H. Jang, S. C. Yoon, C. Lee, B. H. Hong, J. A. Rogers, J. H. Cho, and J. H. Ahn, Nano Lett., 11, 4642 (2011). https://doi.org/10.1021/nl202134z
  7. H. Lee, T. K. Choi, Y. B. Lee, H. R. Cho, R. Ghaffari, L. Wang, H. J. Choi, T. D. Chung, N. Lu, T. Hyeon, S. H. Choi, and D. H. Kim, Nat. Nanotechnol., 11, 566 (2016). https://doi.org/10.1038/nnano.2016.38
  8. X. Wang, S. M. Tabakman, and H. Dai, J. Am. Chem. Soc, 130, 8152 (2008). https://doi.org/10.1021/ja8023059
  9. R. J. Zaldivar, J. P. Nokes, P. M. Adams, K. Hammoud, and H. I. Kim, Carbon, 50, 2966 (2012). https://doi.org/10.1016/j.carbon.2012.02.079
  10. W. C. Shin, J. H. Bong, S. Y. Choi, and B. J. Cho, ACS Appl. Mater. Interfaces, 5, 11515 (2013). https://doi.org/10.1021/am4039807
  11. J. W Shin, M. H. Kang, S. Oh, B. C. Yang, K. Seong, H. S. Ahn, T. H. Lee, and J. An, Nanotechnology, 29, 195602 (2018). https://doi.org/10.1088/1361-6528/aab0fb
  12. A. Nourbakhsh, M. Cantoro, A. V. Klekachev, G. Pourtois, T. Vosch, J. Hofkens, M. H. Van Der Veen, M. M. Heyns, S. De Gendt, and B. F. Sels, J. Phys. Chem. C, 115, 16619 (2011). https://doi.org/10.1021/jp203010z
  13. K. Kim, H. B. R. Lee, R. W. Johnson, J. T. Tanskanen, N. Liu, M. G. Kim, C. Pang, C. Ahn, S. F. Bent, and Z. Bao, Nat. commun., 5, 4781 (2014). https://doi.org/10.1038/ncomms5781
  14. N. Peltekis, S. Kumar, N. McEvoy, K. Lee, A. Weidlich, and G. S. Duesberg, Carbon, 50, 395 (2012). https://doi.org/10.1016/j.carbon.2011.08.052
  15. P. Zhou, S. Yang, Q. Sun, L. Chen, P. Wang, S. Ding, and D. W. Zhang, Sci. rep., 4, 6441 (2014). https://doi.org/10.1038/srep06441
  16. K Kukli, M Ritala, J Aarik, T Uustare, and M Leskela, J. Appl. Phys., 92, 1833 (2005). https://doi.org/10.1063/1.1493657
  17. K. Kim, T. H. Lee, E. J. G. Santos, P. S. Jo, A. Salleo, Y. Nishi, and Z. Bao, ACS nano, 9, 5922 (2015). https://doi.org/10.1021/acsnano.5b00581
  18. T. H. Lee, K. Kim, G. Kim, H. J. Park, D. Scullion, L. Shaw, M. G. Kim, X. Gu, W. G. Bae, E. J. G. Santos, Z. Lee, H. S. Shin, Y. Nishi, and Z. Bao, Chem. Mater., 29, 2341 (2017). https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.6b05517
  19. P. L. Levesque, S. S. Sabri, C. M. Aguirre, J. Guillemette, M. Siaj, P. Desjardins, T. Szkopek, and R. Martel, Nano Lett., 11, 132 (2011). https://doi.org/10.1021/nl103015w