Fig. 1. HR-SEM images of the SiC surface annealed (a) without r-GO and (b) with r-GO capping layer. 그림 1. r-GO 보호 층 적용 (a) 유/ (b) 무에 대한 SiC 표면 고해상도 주사전자현미경 이미지
Fig. 2. 3-dimensional AFM images of the SiC surface annealed (a) without r-GO and (b) with r-GO capping layer. 그림 2. r-GO 보호 층 적용 (a) 유/ (b) 무에 대한 SiC 표면 3차원 원자간 힘 현미경 이미지
Fig. 3. J-V curves of Ni/4H-SiC Schottky diodes annealed with (solid circle) r-GO and without (open circle) r-GO capping layer. 그림 3. r-GO 보호 층 적용 유 (꽉찬 원형)/무 (빈 원형)에 대한 Ni/4H-SiC 쇼트키 다이오드 전류밀도-전압 특성
References
- S. Dimitrijev, "SiC Power MOSFETs: The Current Status and the Potential for Future Development," Proc. IEEE MIEL 2017, pp.29-34, 2017. DOI:10.1109/MIEL.2017.8190064
-
L. Liu, C. Jiao, Y. Xu, G. Liu, L. C. Feldman, S. Dhar, "The Influence of
$SiC/SiO_2$ Interface Morphology on the Electrical Characteristics of SiC MOS Structures," Conf.: IEEE WiPDA 2014, pp.103-106, 2014. DOI:10.1109/WiPDA.2014.6964633 - H. Wang, T. Taychatanapat, A. Hsu, K. Watanabe, T. Taniguchi, P. Jarillo-Herrero, T. Palacios, "BN/Graphene/BN Transistors for RF Applications," IEEE Elect. Dev. Lett., vol.32, no.9, pp.1209-1211, 2011. DOI:10.1109/LED.2011.2160611
- B. D. Ryu, J.-H. Hyung, M. Han, G.-S. Kim, N. Han, K. B. Ko, K. K. Kang, T. V. Cuong, C.-H. Hong, "Long-term Stability of Si-organic Hybrid Solar Cells with a Thermally Tunable Graphene Oxide Platform," RCS Adv., vol.6, no.76, pp.72342-72350, 2016. DOI:10.1039/C6RA12441K
- Y. Chen, K. Zhang, M. Cao, S. Zhao, J. Zhang, X. Ma, Y. Hao, "Study of Surface Leakage Current of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors," Appl. Phys. Lett., vol.104, no.15, p. 153509, 2014. DOI:10.1063/1.4871736