Abstract
This letter proposes a low noise amplifier which has low noise figure and high linearity simultaneously using a cascode structure with an additional transistor. The proposed structure minimizes the noise source by using optimizing transistor sizes and also improves linearity from the current bleeding technique. The device was fabricated in a $0.5{\mu}m$ GaAs pHEMT process and has noise figure of 1.1 dB, a voltage gain of 15.0 dB, an $OIP_3$ of 30.8 dBm and an input/output return loss of 11.6 dB/10.4 dB from 1.8 to 2.6 GHz.
본 논문에서는 캐스코드(cascode) 구조에 트랜지스터를 추가하여 잡음 특성을 유지하면서 높은 선형성을 갖는 저잡음 증폭기 구조를 제안하고 설계하였다. 제안한 구조는 트랜지스터의 사이즈 최적화를 통해 잡음원을 최소화 했으며, 전류원분리(current bleeding) 효과를 주어 선형성을 개선하였다. 저잡음 특성에 유리한 $0.5{\mu}m$ pHEMT 공정을 이용해 제작된 저잡음 증폭기는 1.8~2.6 GHz의 동작 대역에서 30.8 dBm의 $OIP_3$, 15.0 dB의 이득, 1.1 dB의 NF, 11.6 dB/10.4 dB의 입출력 반사 손실 특성을 보였다.