References
- K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature, 432, 488 (2004). [DOI: http://dx.doi.org/10.1038/nature03090]
- K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Science, 300, 1269 (2003). [DOI: http://dx.doi.org/10.1126/science.1083212]
- S. Y. Lee, D. H. Kim, E. Chong, Y. W. Jeon, and D. H. Kim, Appl. Phys. Lett., 98, 122105 (2011). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3570641]
- E. Chong, K. C. Jo, and S. Y. Lee, Appl. Phys. Lett., 96, 152102 (2010). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3387819]
- Y. S. Rim, D. L. Kim, W. H. Jeong, and H. J. Kim, Appl. Phys. Lett., 97, 233502 (2010). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3524514]
- D. H. Kim, H. K. Jung, D. H. Kim, and S. Y. Lee, Appl. Phys. Lett., 99, 162101 (2011). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3645597]
- J. S. Park, J. K. Jeong, H. J. Chung, Y. G. Mo, and H. D. Kim, Appl. Phys. Lett., 92, 072104 (2008). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.2838380]
- Y. H. Kim, H. S. Kim, J. I. Han, and S. K. Park, Appl. Phys. Lett., 97, 092105 (2010). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3485056]
- D. W. Kwon, J. H. Kim, J. S. Chang, S. W. Kim, W. Kim, J. C. Park, I. Song, C. J. Kim, U I. Jung, and B. G. Park, Appl. Phys. Lett., 98, 063502 (2011). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3549180]
- D. H. Kim, D. Y. Yoo, H. K. Jung, D. H. Kim, and S. Y. Lee, Appl. Phys. Lett., 99, 172106 (2011). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3657511]
- J. K. Jeong, Semicond. Sci. Technol., 26, 034008 (2011). [DOI: http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/26/3/034008]
- S. Lee, S. Park, S. Kim, Y. Jeon, K. Jeon, J. H. Park, J. Park, I. Song, C. J. Kim, Y. Park, D. M. Kim, and D. H. Kim, IEEE Electron Device Lett., 31, 231 (2010). [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/LED.2009.2039634]
- J. H. Na, M. Kitamura, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett., 93, 063501 (2008). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.2969780]
- J. S. Lee, J. S. Park, Y. S. Pyo, D. B. Lee, E. H. Kim, D. Stryakhilev, T. W. Kim, D. U. Jin, and Y. G. Mo, Appl. Phys. Lett., 95, 123502 (2009). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3232179]
- R.B.M. Cross and M.M. De-Souza, Appl. Phys. Lett., 89, 263513 (2006). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.2425020]
- P. Gorrn, P. Holzer, T. Reidl, W. Kowalsky, J. Wang, T. Weimann, P. Hinze, and S. Kipp, Appl. Phys. Lett., 90, 063502 (2007). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.2458457]
Cited by
- Effect of Nitrogen Doping on the Electrical Performance of Amorphous Si–In–Zn–O Thin Film Inverter pp.2092-7592, 2018, https://doi.org/10.1007/s42341-018-0082-0