Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD (대한전자공학회논문지SD)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

Triple Pull-Down Gate Driver Using Oxide TFTs

트리플 풀다운 산화물 박막트랜지스터 게이트 드라이버

  • Kim, Ji-Sun (Department of Electronic Engineering, Konkuk University) ;
  • Park, Kee-Chan (Department of Electronic Engineering, Konkuk University) ;
  • Oh, Hwan-Sool (Department of Electronic Engineering, Konkuk University)
  • Received : 2011.09.20
  • Accepted : 2012.01.05
  • Published : 2012.01.25
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Abstract

We have developed a new gate driver circuit for liquid crystal displays using oxide thin-film transistors (TFTs). In the new gate driver, negative gate bias is applied to turn off the oxide TFTs because the oxide TFT occasionally has negative threshold voltage (VT). In addition, we employed three parallel pull-down TFTs that are turned on in turns to enhance the stability. SPICE simulation showed that the proposed circuit worked successfully covering the VT range of -3 V ~ +6 V And fabrication results confirmed stable operation of the new circuit using oxide TFTs.

산화물 박막트랜지스터를 이용하여 액정 디스플레이 패널에 내장할 수 있는 새로운 게이트 드라이버 회로를 설계하고 제작하였다. 산화물 박막트랜지스터는 문턱전압이 음의 값을 갖는 경우가 많기 때문에 본 회로에서는 음의 게이트 전압을 인가하여 트랜지스터를 끄는 방법을 적용하였다. 또한 세 개의 풀다운 트랜지스터를 병렬로 배치하고 번갈아 사용하므로 안정적인 동작이 가능하다. 제안한 회로는 트랜지스터의 문턱전압이 -3 V ~ +6 V인 범위에서 정상적으로 동작하는 것을 시뮬레이션을 통해서 확인하였으며, 실제로 유리 기판 상에 제작하여 안정적으로 동작하는 것을 검증하였다.

Keywords

References

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