The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science (한국전자파학회논문지)

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Highly Linear 1 W Power Amplifier MMIC for the 900 MHz Band Using InGaP/GaAs HBT

InGaP/GaAs HBT를 이용한 900 MHz 대역 1 W급 고선형 전력 증폭기 MMIC 설계

  • Joo, So-Yeon (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Han, Su-Yeon (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Song, Min-Geun (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Kim, Hyung-Chul (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Kim, Min-Su (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Noh, Sang-Youn (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Yoo, Hyung-Mo (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Yang, Youn-Goo (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University)
  • 주소연 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
  • 한수연 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
  • 송민건 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
  • 김형철 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
  • 김민수 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
  • 노상연 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
  • 유형모 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
  • 양영구 (성균관대학교 정보통신공학부)
  • Published : 2011.09.30
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Abstract

This paper presents a highly linear power amplifier MMIC, having an output power level of about 1 watt, based on InGaP/GaAs hetero-junction bipolar transistor(HBT) technology for the 900 MHz band. The active bias circuit is applied to minimize the effect of temperature variation. Ballast resistors are optimized to prevent a current collapse and a thermal runaway. The fabricated power amplifier exhibited a gain of 17.6 dB, an output P1dB of 30 dBm, and a PAE of 44.9 % at an output P1dB from the one-tone excitation. It also showed a very high OIP3 of 47.3 dBm at an average output power of 20 dBm from the two-tone excitation.

본 논문에서는 InGaP/GaAs hetero-junction bipolar transistor(HBT)를 이용하여 900 MHz에서 동작하는 1 W급 선형 전력 증폭기를 설계 및 검증하였다. 온도 변화에 따른 증폭기의 특성 변화를 최소화하기 위해 능동 바이어스 회로를 구성하였다. 전류 붕괴(current collapse)와 열 폭주(thermal runaway)를 방지하기 위하여 ballast 저항을 삽입하여 전력 증폭기의 성능 및 신뢰성을 최적화하였다. 제작된 선형 전력 증폭기는 중심 주파수 900 MHz의 one-tone 신호를 사용하였을 때, 17.6 dB의 전력 이득과 30 dBm의 OP1dB를 가지며, 이때 44.9 %의 PAE를 갖는다. 또한, two-tone 신호를 인가하였을 때, 20 dBm의 평균 출력 전력에서 47.3 dBm의 매우 높은 OIP3를 갖는다.

Keywords

References

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