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Physical Property of W-C-N Diffusion Barrier through Stress-Strain curve

Stress-Strain curve를 이용한 W-C-N 확산방지막 물성 특성 연구

  • 이규영 (국민대학교 물리학과) ;
  • 김수인 (국민대학교 물리학과) ;
  • 박상재 (KAIST 부설 한국과학영재학교) ;
  • 이동관 (KAIST 부설 한국과학영재학교) ;
  • 정용록 (KAIST 부설 한국과학영재학교) ;
  • 정준 (KAIST 부설 한국과학영재학교) ;
  • 이종림 (KAIST 부설 한국과학영재학교) ;
  • 이창우 (국민대학교 물리학과)
  • Received : 2011.02.21
  • Accepted : 2011.04.27
  • Published : 2011.07.30

Abstract

This paper suggest tungsten (W)-carbon (C)-nitrogen (N) thin films for diffusion barrier that W is main material and C and N are additives. W-C-N thin films are deposited with fixed rates of W and C but with a variation of $N_2$ gas flow and W-C-N thin films are heated at $600^{\circ}C$. From the experimental results, the variation of elastoplastic region for W-C-N thin film measured by tribological property is larger than that of elastic region with a variation of $N_2$ gas flow. These results show that the $N_2$ gas flow is more directly related with the elastoplastic region of W-C-N thin film. Nanoindenting test executed 16 times consecutively and we got the stress-strain curve graphs and hardness datas at each sample. Through the stress-strain curve graphs, the standard diviation of stress-strain curve for $N_2$ gas flow rate of 2.0 sccm is smaller than that of 0, 0.5, 1.5 sccm. Consequently, the physical stability of W-C-N thin film depends on the flow rate of $N_2$ gas.

본 연구에서는 W (Tungsten)를 주 구성 물질로 불순물 C (Carbon)과 N (Nitrogen)을 첨가한 W-C-N 확산방지막 시편을 제조하였고, $N_2$가스의 유량을 변화시키면서 확산방지막을 제조하여 각각의 시료에 대하여 $600^{\circ}C$열처리를 하였다. 실험 결과 질소유량의 변화에 따라 시편의 탄소성 구간층의 물성 변화율이 시편의 탄성구간보다 큰 것을 알아냈다. 이는 질소 가스의 유량 변화가 시편의 탄소성 구간에 더욱 직접적으로 연관이 되었다는 것을 알 수 있었다. 각 시료는 16회 연속 압입 실험을 실시하여 Stress-strain curve를 통하여 질소 가스의 유량이 2 sccm인 박막의 분산이 적음을 알아냈고, 연속압입을 통하여 얻어진 상항복점의 표준 편차 역시 질소 가스의 유량이 2 sccm인 박막이 가장 적다는 것을 알 수 있었다. Stress-strain curve 분산과 상항복점의 Stress 값의 표준 편차의 크기로 부터 박막의 안정도를 예상할 수 있었으며, 이 결과로부터 W-C-N 박막은 질소 유량에 따라 박막의 안정도가 변화하는 것을 알았다.

Keywords

References

  1. S. I. Kim, Y. J. Hwang, D. S. Ham, J. K. Nho, J. Y. Lee, J. Park, C. G. Ahn, C. S. Kim, C. W. Oh, K. H. Yoo, and C. W. Lee, J. Korean Vaccum Soc. 18, 203 (2009). https://doi.org/10.5757/JKVS.2009.18.3.203
  2. S. I. Kim and C. W. Lee, J. Korean Vaccum Soc. 16, 348 (2007). https://doi.org/10.5757/JKVS.2007.16.5.348
  3. S. I. Kim and C. W. Lee, J. Korean Vaccum Soc. 17, 518 (2008). https://doi.org/10.5757/JKVS.2008.17.6.518
  4. S. I. Kim and C. W. Lee, J. Korean Vaccum Soc. 17, 109 (2008). https://doi.org/10.5757/JKVS.2008.17.2.109
  5. W. C. Oliver and G. M. Pharr, J. mater. Res. 7, 1564 (1992). https://doi.org/10.1557/JMR.1992.1564
  6. E. Martinez, J. Romero, A. Lousa, and J. Esteven, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process 77, 419 (2003). https://doi.org/10.1007/s00339-002-1669-0
  7. S. I. Kim and C. W. Lee, J Electroceram 23, 488 (2009). https://doi.org/10.1007/s10832-008-9505-3