References
- J. F. Damlencourt, O. Renault, D. Samour, A. M. Papon, C. Leroux, F. Martin, S. Marthon, M. N. Semeria, and X. Garros, Solid State Electr.., 47, 1613 (2003). https://doi.org/10.1016/S0038-1101(03)00170-9
- G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys., 89, 5243 (2001). https://doi.org/10.1063/1.1361065
- A. Callegari, E. Cartier, M. Gribelyuk, H. F. Okorn-Schmidt, and T. Zabel, J. Appl. Phys., 90, 6466 (2001). https://doi.org/10.1063/1.1417991
- P. Punchaipetch, G. Pant, M. A. Quevedo-Lopez, C. Yao, M. El-Bouanani, M. J. Kim, R. M. Wallace, and B. E. Gnade, IEEE J. Quantum Electron., 10, 89(2004). https://doi.org/10.1109/JSTQE.2004.824109
- P. Punchaipetch, G. Pant, M. Quevedo-Lopez, H. Zhang, M. EI-Bouanani, M. J. Kim, R. M. Wallace, and B. E. Gnade, Thin Solid Films, 425, 68 (2003). https://doi.org/10.1016/S0040-6090(02)01306-8
- G. Pant, P. Punchaipetch, M. J. Kim, R. M. Wallace, and B. E. Gnade, Thin Solid Films, 460, 242 (2004). https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.01.109
- K. Yamamoto, S. Hayashi, M. Niwa, M. Asai, S. Horii, and H. Miya, Appl. Phys. Lett., 83, 2229 (2003). https://doi.org/10.1063/1.1609246
- H. Nakashima, D. Wang, Y. Sugimoto, Y. Suehiro, K. Yamamoto, M. Kajiwara, and K. Hirayama, Semicond. Sci. Technol., 23, 1 (2008).
- M. S. Jo, H. K Park, J. M. Lee, M. Chang, H. S. Jung, J. H. Lee, and H. S. Hwang, Elec. Dev. Lett., 29, 399 (2008). https://doi.org/10.1109/LED.2008.918249
- M. Miyamura, K. Masuzaki, H. Watanabe, N. Ikarashi, and T. Tatsumi, Jpn. J. Appl. Phys., 43, 7843 (2004). https://doi.org/10.1143/JJAP.43.7843
- C. W. Hsu, Y. T. Chiang, F. R. Juang, C. T. Lin, and C. M. Lai, Microelectron. Reliab., 50, 618 (2010). https://doi.org/10.1016/j.microrel.2010.01.045
- P. E. Blochl and J. H. Stathis, Phys. Rev. Lett., 83, 372 (1999). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.83.372
- Y. Sugimoto, H. Adachi, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima, and H. Nakashima, Mater. Sci. Semicon. Process., 9, 1031 (2006). https://doi.org/10.1016/j.mssp.2006.10.020