참고문헌
- Front-end processing in International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) 2009, (2009, Dec. 16) [Internet] Available from: http://www.itrs.net/Links/2009ITRS/Home2009.htm.
- M. H. White, D. A. Adams, and J. Bu, IEEE Circuits Devices Mag. 16, 22 (2000) [DOI: 10.1109/101.857747].
- Y. M. Niquet, G. Allan, C. Delerue, and M. Lannoo, Appl. Phys. Lett. 77, 1182 (2000) [DOI: 10.1063/1.1289659].
- J. J. Welser, S. Tiwari, S. Rishton, K. Y. Lee, and Y. Lee, IEEE Electron Device Lett. 18, 278 (1997) [DOI:10.1109/55.585357].
- R. Muralidhar, R. F. Steimle, M. Sadd, R. Rao, C. T. Swift, E. J. Prinz, J. Yater, L. Grieve, K. Harber, B. Hradsky, S. Straub, B. Acred, W. Paulson, W. Chen, L. Parker, S. G. H. Anderson, M. Rossow, T. Merchant, M. Paransky, T. Huynh, D. Hadad, K. M. Chang, and B. E. White, Jr, IEEE International Electron Devices Meeting. IEDM Technical Digest (Washington, DC 2003 Dec. 8-10) p. 26.2.1 [DOI: 10.1109/IEDM.2003.1269353].
- T. Baron, B. Pellissier, L. Perniola, F. Mazen, J. M. Hartmann, and G. Polland, Appl. Phys. Lett. 83, 1444 (2003) [DOI: 10.1063/1.1604471].
- Q. Wan, C. L. Lin, W. L. Liu, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 82, 4708 (2003) [DOI: 10.1063/1.1588373].
- C. Lee, A. Gorur-Seetharam, and E. C. Kan, IEEE International Electron Devices Meeting. IEDM Technical Digest (Washington, DC 2003 Dec. 8-10) p. 22.6.1 [DOI: 10.1109/IEDM.2003.1269344].
- M. Takata, S. Kondoh, T. Sakaguchi, H. Choi, J. C. Shim, H. Kurino, and M. Koyanagi, IEEE International Electron Devices Meeting. IEDM Technical Digest (Washington, DC 2003 Dec. 8-10) p. 22.5.1 [DOI: 10.1109/IEDM.2003.1269343].
- P. Xuan, M. She, B. Harteneck, A. Liddle, J. Bokor, and T. J. King, IEEE International Electron Devices Meeting. IEDM Technical Digest (Washington, DC 2003 Dec. 8-10) p. 26.4.1 [DOI: 10.1109/IEDM.2003.1269355].
- T. S. Chen, K. H. Wu, H. Chung, and C. H. Kao, IEEE Electron Device Lett. 25, 205 (2004) [DOI: 10.1109/LED.2004.825163].
- T. Sugizaki, M. Kobayashi, M. Ishidao, H. Minakata, M. Yamaguchi, Y. Tamura, Y. Sugiyama, T. Nakanishi, and H. Tanaka, International Symposium on VLSI Technology Systems and Applications (VLSI-TSA) (Hsinchu 2003 Oct. 6-8, IEEE) p. 27.
- S. S. Kim, W. J. Cho, C. G. Ahn, K. Im, J. H. Yang, I. B. Baek, S. Lee, and K. S. Lim, Appl. Phys. Lett. 88, 223502 (2006) [DOI: 10.1063/1.2208268].
- J. H. Chen, W. J. Yoo, D. S. H. Chan, and L. J. Tang, Appl. Phys. Lett. 86, 073114 (2005) [DOI: 10.1063/1.1868077].
- M. L. Ostraat, J. W. De Blauwe, M. L. Green, L. D. Bell, M. L. Brongersma, J. Casperson, R. C. Flagan, and H. A. Atwater, Appl. Phys. Lett. 79, 433 (2001) [DOI:10.1063/1.1385190].
- C. C. Yeh, T. P. Ma, N. Ramaswamy, N. Rocklein, D. Gealy, T. Graettinger, and K. Min, Appl. Phys. Lett. 91, 113521 (2007) [DOI: 10.1063/1.2786021].
- S. Choi, S. J. Baik, and J. T. Moon, IEEE International Devices Meeting. IEDM Technical Digest (San Francisco, CA 2008 Dec. 15-17) p. 925.
- M. Lisiansky, A. Heiman, M. Kovler, A. Fenigstein, Y. Roizin, I. Levin, A. Gladkikh, M. Oksman, R. Edrei, A. Hoffman, Y. Shnieder, and T. Claasen, Appl. Phys. Lett. 89, 153506 (2006) [DOI: 10.1063/1.2360197].
- P. H. Tsai , K. S. Chang-Liao , T. Y. Wu, T. K. Wang, P. J. Tzeng , C. H. Lin , L. S. Lee , and M. J. Tsai, Solid-State Electron. 52, 1573 (2008) [DOI: 10.1016/j.sse.2008.06.030].
- H. A. R. Wegener, A. J. Lincoln, H. C. Pao, M. R. O’ Connell, R. E. Oleksiak, and H. Lawrence, IEEE International Devices Meeting. IEDM Technical Digest (Washington, DC 1967 Dec. 18-20 IEEE).
- R. Ohba, N. Sugiyama, K. Uchida, J. Koga, and A. Toriumi, IEEE Trans. Electron Devices, 49, 1392 (2002) [DOI: 10.1109/TED.2002.801296].
- J. H. Kim and J. B. Choi, IEEE Trans. Electron Devices 51, 2048 (2004) [DOI: 10.1109/TED.2004.838446].
- Y. M. Niquet, G. Allan, C. Delerue, and M. Lannoo, Appl. Phys. Lett. 77, 1182 (2000) [DOI: doi:10.1063/1.1289659].
- H. C. Wann and C. Hu, IEEE Electron Device Lett. 16, 491 (1995) [DOI: 10.1109/55.468277].
- P.A. Packan, Science 1999, 285, 2079 (1999) [DOI: 10.1126/science.285.5436.2079].
- G. D. Wilk, R. M. Wallace, J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001) [DOI: 10.1063/1.1361065].
- G. D. Wilk and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 74, 2854 (1999) [DOI: 10.1063/1.124036].
- G. D. Wilk and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 76, 112 (2000) [DOI: 10.1063/1.125673].
- B. H. Lee, L. Kang, R. Nieh, W. J. Qi, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 76, 1926 (2000) [DOI: 10.1063/1.126214].
- M. Copel, M. A. Gribelyuk, and E. Gusev, Appl. Phys. Lett. 76, 436 (2000) [DOI: 10.1063/1.125779]
- T. M. Klein, D. Niu, W. S. Epling, W. Li, D. M. Maher, C. C. Hobbs, R. I. Hedge, I. J. R. Baumvol, and G. N. Parsons, Appl. Phys. Lett. 75, 4001 (1999) [DOI: 10.1063/1.125519].
- M. Wu, Y. Yang, A. Chin, W. J. Chen, and C. M. Kwei, IEEE Electron. Device Lett. 21, 341 (2000). https://doi.org/10.1109/55.847374
- H. J. Osten, J. P. Liu, and H. J. Mussig, Appl. Phys. Lett. 80, 297 (2000) [DOI: 10.1063/1.1433909].
- J. Kwo, M. Hong, A. R. Kortan, K. T. Queeney, Y. J. Cabal, J. P. Man-naerts, T. Boone, J. J. Krajewski, A. M. Sergent, and J. M. Rosamilia, Appl. Phys. Lett. 77, 130 (2000) [DOI: 10.1063/1.126899].
- J. A. Gupta, D. Landheer, J. P. McCaffrey, and G. F. I. Sproule, Appl. Phys. Lett. 78, 1718 (2001) [DOI: 10.1063/1.1356725].
- M. D. Kannan, S. K. Narayandass, C. Balasubramanian, and D. Mangalar-aj, Phys. Stat. Solidi A 128, 427 (1991) [DOI: 10.1002/pssa.2211280219].
- L. G. Gao, B. Xu, H. X. Guo, Y. D. Xia, J. Yin, and Z. G. Liu, Appl. Phys. Lett. 94, 252901 (2009) [DOI: 10.1063/1.3159473].
- L. G. Gao, K. B. Yin, L. Chen, H. X. Guo, Y. D. Xia, J. Yin, and Z. G. Liu, Appl. Surf. Sci. 256, 90 (2009) [DOI:10.1016/j.apsusc.2009.07.075].
- L. G. Gao, Y. D. Xia, H. X. Guo, B. Xu, Z. G. Liu, and J. Yin, J. Appl. Phys. 106, 046106 (2009) [DOI: 10.1063/1.3204459].
- M. H. Cho, Y. S. Roh, C. N. Whang, K. Jeong, H. J. Choi, S. W. Nan, and D. H. Ko, Appl. Phys. Lett. 81, 1071 (2002) [DOI: 10.1063/1.1499223].
- J. Robertson, Eur. Phys. J. Appl. Phys. 28, 265 (2004) [DOI: 10.1051/epjap:2004206].
- B. Cheng, M. Cao, P. Rao, A. Inani, P. V. Voorde,W. M. Greene, J. M. C. Stork, Z. Yu, P. M. Zeitzoff, and J. C. S. Woo, IEEE Trans. Electron Devices 46, 1537 (1999) [DOI: 10.1109/16.772508].
- G. C. F. Yeap, S. Krishnan, and M. R. Lin, Electron. Lett. 34, 1150 (1998). https://doi.org/10.1049/el:19980800
- H. W. Zhu, X. Y. Liu, C. Shen, J. F. Kang, and R. O. Han, Chinese J. Semicond. 22, 1107 (2001).
- J. Robertson and C. W. Chen, Appl. Phys. Lett. 74, 1168 (1999) [DOI: 10.1063/1.123476].
- M. Houssa, V. V. Afanas’ev, A. Stesmans, and M. M. Heyns, Appl. Phys. Lett. 77, 1885 (2000) [DOI: 10.1063/1.1310635].
- J. Robertson, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1785 (2000) [DOI: 10.1116/1.591472].
- T. M. Pan and T. Y. Yu, Appl. Phys. Lett. 92, 112906 (2008) [DOI: 10.1063/1.2898215].
- G. Zhang, X. P. Wang, W. J. Yoo, and M.F. Li, IEEE Trans. Electron Devices, 54, 257 (2007) [DOI: 10.1109/TED.2007.908888].
- J. R. Hwang, T. L. Lee, H. C. Ma, T. C. Lee, T. H. Chung, C. Y. Chang, S. D. Liu, B. C. Perng, J. W. Hsu, M. Y. Lee, C. Y. Ting, C. C. Huang, J. H. Wang, J. H. Shieh, and F. L. Yang, IEEE International Electron Devices Meeting. IEDM Technical Digest (Washington, DC 2005 Dec. 5-7, IEEE Group on Electron Devices) p. 154 [DOI: 10.1109/IEDM.2005.1609293]
- S. Choi, M. Cho, H. Hwang, and J. W. Kim, J. Appl. Phys. 94, 5408 (2003) [DOI: 10.1063/1.1609650].
- M. Specht, H. Reisinger, F. Hofmann, T. Schulz, E. Landgraf, R. J. Luyken, W. Rosner, M. Grieb, and L. Risch, Solid-State Electron. 49, 716 (2005) [DOI: 10.1016/j.sse.2004.09.003].
- Y. H. Lin, T. Y. Yang, C. H. Chien, and T. F. Lei, Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (Yokohama 2006) p. 558.
- M. S. Joo, S. R. Lee, H. Yang, K. Hong, S. A. Jang, J. Koo, J. Kim, S. Shin, M. Kim, S. Pyi, N. Kwak, and J. W. Kim, Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (Yokohama 2006) p. 982.
- M. Balog, M. Schieber, M. Michiman, and S. Patai, Thin Solid Films 41, 247 (1977) [DOI: 10.1016/0040-6090(77)90312-1].
- J. Zhu and Z. G. Liu, Appl. Phys. A, 80, 1769 (2005) [DOI: 10.1007/s00339-003-2479-8].
- J. Zhu, Y. R. Li, and Z. G. Liu, J. Phys. D: Appl. Phys. 37, 2896 (2004) [DOI: 10.1088/0022-3727/37/20/017].
- H. W. You and W. J. Cho, Appl. Phys. Lett. 96, 093506 (2010) [DOI: 10.1063/1.3337103].
- T. M. Pan and W. W. Yeh, IEEE Trans. Electron Devices, 55, 2354 (2008) [DOI:10.1109/TED.2008.927401].
- T. M. Pan and W. W. Yeh, Appl. Phys. Lett. 92, 173506 (2008) [DOI: 10.1063/1.2919086].
- L. Shi, Y. D. Xia, K. B. Yin, and Z. G. Liu, Appl. Phys. Lett. 92, 132912 (2008) [DOI: 10.1063/1.2906364].
- C. H. Lee, S. H. Hur, Y. C. Shin, J. H. Choi, D. G. Park, and K. Kim, Appl. Phys. Lett. 86, 152908 (2005) [DOI: 10.1063/1.1897431].
- S. Maikap, H. Y. Lee, T. Y. Wang, P. J. Tzeng, C. C. Wang, L. S. Lee, K. C. Liu, J. R. Yang, and M. J. Tsai, Semicond. Sci. Technol. 22, 884 (2007) [DOI: 10.1088/0268-1242/22/8/010].
- Y. N. Tan, W. K. Chim, B. J. Cho, and W. K. Choi, IEEE Trans. Electron Devices 51, 1143 (2004) [DOI: 10.1109/TED.2004.829861].
- P. H. Tsai, K. S. Chang-Liao, T. C. Liu, T. K. Wang, P. J. Tzeng, C. H. Lin, L. S. Lee, and M. J. Tsai, IEEE Electron Devices Lett. 30, 775 (2009) [DOI: 10.1109/LED.2009.2022287].
- P. H. Tsai, K. S. Chang-Liao, C. Y. Liu, T. K. Wang, P. J. Tzeng, C. H. Lin, L. S. Lee, and M. J. Tsai, IEEE Electron Devices Lett. 29, 265 (2008) [DOI: 10.1109/LED.2007.915380].
- G. Molas, H. Grampeix, J. Buckley, M. Bocquet, X. Garros, F. Martin, J. P. Colonna, P. Brianceau, V. Vidal, M. Gely, B. D. Salvo, S. Deleonibus, C. Bongiorno, and S. Lombardo, Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (Montreux 2006 Sep.) p. 242 [DOI: 10.1109/ESSDER.2006.307683].
- W. J. Zhu, T. Tamagawa, M. Gibson, T. Furukawa, and T. P. Ma, IEEE Electron Devices Lett. 23, 649 (2002) [DOI: 10.1109/LED.2002.805000].
- Y. N. Tan, W. K. Chim, W. K. Choi, M. S. Joo, and B. J. Cho, IEEE Trans. Electron Devices, 53, 654 (2006) [DOI: 10.1109/TED.2006.870273].
- J. Pu, D. S. H. Chan, S. J. Kim, and B. J. Cho, IEEE Trans. Electron Devices, 56, 2739 (2009) [DOI: 10.1109/TED.2009.2030834].
- Y. Park, J. K. Park, M. H. Song, S. K. Lim, J. S. Oh, M. S. Joo, K. Hong, and B. J. Cho, Appl. Phys. Lett. 96, 052907 (2010) [DOI: 10.1063/1.3309693].
- Y. H. Wu, L. L. Chen, Y. S. Lin, M. Y. Li, and H. C. Wu, IEEE Electron Devices Lett. 30, 1290 (2009) [DOI: 10.1109/LED.2009.2034115].
- X. G. Wang, J. Liu, W. Bai, and D. L. Kwong, IEEE Trans. Electron Devices, 51, 597 (2004) [DOI: 10.1109/TED.2004.824684].
- X. G. Wang and D. L. Kwong, IEEE Trans. Electron Devices, 53, 78 (2006) [DOI: 10.1109/TED.2005.860637].
- K. K. Likharev, Appl. Phys. Lett. 73, 2137 (1998) [DOI: 10.1063/1.122402].
- B. Govoreanu, P. Blomme, M. Rosmeulen, J. Van Houdt, and K. De Meyer, IEEE Electron Device Lett. 24, 99 (2003) [DOI: 10.1109/LED.2002.807694].
- J. Buckley, B. De Salvo, G. Ghibaudo, M. Gely, J. F. Damlencourt, F. Martin, G. Nicotra, and S. Deleonibus, Solid-State Electron. 49, 1833 (2005) [DOI: 10.1016/j.sse.2005.10.005].
- F. Irrera and G. Puzzilli, Microelectron. Reliab. 45, 907 (2005) [DOI: 10.1016/j.microrel.2004.11.026].
- F. Irrera, IEEE Trans. Electron Devices 53, 2418 (2006) [DOI: 10.1109/TED.2006.879675].
- K. S. Seol, S. J. Choi, J. Y. Choi, E. J. Jang, B. K. Kim, S. J. Park, D. G. Cha, I. Y. Song, J. B. Park, Y. Park, and S. H. Choi, Appl. Phys. Lett. 89, 083109 (2006) [DOI: 10.1063/1.2335677].
- Y. R. Liu, S. Dey, S. Tang, D. Q. Kelly, J. Sarkar, and S. K. Banerjee, IEEE Trans. Electron Devices 53, 2598 (2006) [DOI: 10.1109/TED.2006.882395].
- H. T. Lue, S. Y. Wang, E. K. Lai, Y. H. Shih, S. C. Lai, L. W. Yang, K. C. Chen, J. Ku, K. Y. Hsieh, R. Liu, and C. Y. Lu, IEEE International Electron Devices Meeting. IEDM Technical Digest (Washington, DC 2005 Dec. 5-7) p. 547 [DOI: 10.1109/IEDM.2005.1609342].
- M. H. Jung, K. S. Kim, G. H. Park, and W. J. Cho, Appl. Phys. Lett. 94, 053508 (2009) [DOI: 10.1063/1.3078279].
- M. Specht, M. Stadele, and F. Hofmann, Proceedings of the 32nd European Solid-State Device Research Conference (2002 Sep. 24-26) p. 599.
- W. Chen, W. J. Liu, M. Zhang, S. J. Ding, D. W. Zhang, and M. F. Li, Appl. Phys. Lett. 91, 022908 (2007) [DOI: 10.1063/1.2756849].
- S. J. Ding, M. Zhang, W. Chen, D. W. Zhang, and L. K. Wang, J. Electron. Mater. 36, 253 (2007) [DOI: 10.1007/s11664-006-0003-6].
- K. Kukli, J. Ihanus, M. Ritala, and M. Leskela, Appl. Phys. Lett. 68, 3737 (1996) [DOI: 10.1063/1.115990].
- G. H. Park and W. J. Cho, Appl. Phys. Lett. 96, 043503 (2010) [DOI: 10.1063/1.3293291].
- S. Maikap, T. Y. Wang, P. J. Tzeng, C. H. Lin, T. C. Tien, L. S. Lee, J. R. Yang, and M. J. Tsai, Appl. Phys. Lett. 90, 262901 (2007) [DOI: 10.1063/1.2751579].
피인용 문헌
- Dependence of Electrons Loss Behavior on the Nitride Thickness and Temperature for Charge Trap Flash Memory Applications vol.15, pp.5, 2014, https://doi.org/10.4313/TEEM.2014.15.5.245
- A Study of the Memory Characteristics of Al2O3/Y2O3/SiO2Multi-Stacked Films with Different Tunnel Oxide Thicknesses vol.49, pp.6, 2012, https://doi.org/10.4191/kcers.2012.49.6.631
- Design and Fabrication of Ta$_{2}$O $_{5}$ Stacks for Discrete Multibit Memory Application vol.12, pp.6, 2013, https://doi.org/10.1109/TNANO.2013.2281817
- The Dry Etching Characteristics of HfAlO3 Thin Films in CF4∕Cl2∕Ar Inductively Coupled Plasma vol.159, pp.1, 2012, https://doi.org/10.1149/2.033201jes
- Impact of metal nano layer thickness on tunneling oxide and memory performance of core-shell iridium-oxide nanocrystals vol.110, pp.7, 2011, https://doi.org/10.1063/1.3642961
- Carrier Transport Mechanisms of the Programming and Retention Characteristics for TaN–Al2O3–Si3N4–SiO2–Si Flash Memory Devices vol.51, pp.6S, 2012, https://doi.org/10.7567/JJAP.51.06FE21