Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD (대한전자공학회논문지SD)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

A Study on The Comparison of The Program Efficiency in The Conventional CHE Injection Method and a novel Hot Electron Injection Method Using A Substrate forward Bias

CHE 주입방법과 기판 순바이어스를 이용한 새로운 고온 전자 주입방법의 프로그램 효율성 비교에 관한 연구

  • Zhang, Yong-Jie (School of Electrical Engineering., Korea University) ;
  • An, Ho-Myoung (School of Electrical Engineering., Korea University) ;
  • Kim, Hee-Dong (School of Electrical Engineering., Korea University) ;
  • Kim, T.G. (School of Electrical Engineering., Korea University)
  • 장영걸 (고려대학교 전자전기공학과) ;
  • 안호명 (고려대학교 전자전기공학과) ;
  • 김희동 (고려대학교 전자전기공학과) ;
  • 김태근 (고려대학교 전자전기공학과)
  • Published : 2010.01.25
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Abstract

In this paper, we directly compare the program efficiency of conventional channel hot electron (CHE) injection methods and a novel hot electron injection methods using substrate forward biases in our silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) cell. Compared with conventional CHE injection methods, the proposed injection method showed improved program efficiency including faster program operation at lower bias voltages as well as localized trapping features for multi-bit operation with a threshold voltage difference of 1 V at between the forward and reverse read. This program method is expected to be useful and widely applied for future nano-scale multi-bit SONOS memories.

본 논문에서는, SONOS 소자에서의 일반적인 CHE(Channel Hot Electron) 주입 방법과 기판 순바이어스를 이용한 새로운 전자 주입 방법의 프로그램 효율성에 대해 직접 비교하였다. 기존의 CHE 주입 방법과 비교해서, 새로운 전자 주입 방법은 낮은 구동전압, 빠른 프로그램 속도 등의 특성을 포함하여 높은 프로그램효율을 보였으며, 또한 드레인 영역에서의 순방향 읽기와 역방향 읽기의 문턱전압 차이가 1 V 가량 발생한다는 점에서 국소 주입 동작이 가능함을 확인하였다. 이렇게 제안된 전자주입 방법은 차세대 나노 크기 멀티-비트 SONOS 소자의 동작에 매우 유용하게 사용될 것으로 기대된다.

Keywords

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