DOI QR코드

DOI QR Code

Physical and Electrochemical Properties of Gallium Oxide (β-Ga2O3) Nanorods as an Anode Active Material for Lithium Ion Batteries

리튬이온전지용 산화갈륨 (β-Ga2O3) 나노로드 (Nanorods) 음극 활물질의 물리적.전기화학적 특성

  • Choi, Young-Jin (School of Nano and Advanced Materials Engineering, Gyeongsang National University) ;
  • Ryu, Ho-Suk (School of Nano and Advanced Materials Engineering, Gyeongsang National University) ;
  • Cho, Gyu-Bon (School of Nano and Advanced Materials Engineering, Gyeongsang National University) ;
  • Cho, Kwon-Koo (School of Nano and Advanced Materials Engineering, Gyeongsang National University) ;
  • Ryu, Kwang-Sun (Department of Chemistry, University of Ulsan) ;
  • Kim, Ki-Won (School of Nano and Advanced Materials Engineering, Gyeongsang National University)
  • 최영진 (경상대학교 공과대학 나노.신소재 공학부) ;
  • 류호석 (경상대학교 공과대학 나노.신소재 공학부) ;
  • 조규봉 (경상대학교 공과대학 나노.신소재 공학부) ;
  • 조권구 (경상대학교 공과대학 나노.신소재 공학부) ;
  • 류광선 (울산대학교 화학공학과) ;
  • 김기원 (경상대학교 공과대학 나노.신소재 공학부)
  • Published : 2009.05.30

Abstract

$\beta-Ga_{2}O_{3}$ nanorods were synthesized by chemical vapor deposition method using nickel-oxide nanoparticle as a catalyst and gallium metal powder as a source material. The average diameter of nanorods was around 160 nm and the average length was $4{\mu}m$. Also, we confirmed that the synthesis of nanorods follows the vapor-solid growth mechanism. From the results of X-ray diffraction and HR-TEM observation, it can be found that the synthesized nanorods consisted of a typical core-shell structure with single-crystalline $\beta-Ga_{2}O_{3}$ core with a monoclinic crystal structure and an outer amorphous gallium oxide layer. Li/$\beta-Ga_{2}O_{3}$ nanorods cell delivered capacity of 867 mAh/g-$\beta-Ga_{2}O_{3}$ at first discharge. Although the Li/$\beta-Ga_{2}O_{3}$ nanorods cell showed low coulombic efficiency at first cycle, the cell exhibited stable cycle life property after fifth cycle.

고순도의 $\beta-Ga_{2}O_{3}$ 나노로드(nanorods)가 니켈산화물 나노입자를 촉매로 사용하고 갈륨금속분말을 원료물질로 이용하여 화학기상증착법으로 합성되었다. 전계방출형 주사전자현미경을 이용하여 $\beta-Ga_{2}O_{3}$ 나노로드를 관찰한 결과, 평균직경은 약 160 nm 그리고 평균길이는 $4{\mu}m$였으며 vaporsolid(VS) 성장기구를 통하여 성장되었음을 알 수 있었다. X-선 회절시험과 고분해능 투과전자 현미경을 이용한 결정구조 분석 결과, 합성된 나노로드의 내부는 단사정계 결정구조를 가지는 단결정의 $\beta-Ga_{2}O_{3}$로 이루어져 있고 외벽은 비정질 갈륨옥사이드로 이루어진 코어-셀 구조로 구성되어 있는 것을 확인하였다. 합성된 $\beta-Ga_{2}O_{3}$ 나노로드를 음극 활물질로 사용하여 전극을 제조하고 전기화학적 특성을 분석한 결과, 리튬/$\beta-Ga_{2}O_{3}$ 나노로드 전지는 첫 방전 시 867 mAh/g-$\beta-Ga_{2}O_{3}$의 높은 용량을 나타내었으나 초기 비가역 용량으로 인해 62%의 낮은 충 방전 효율을 나타내었다. 그러나 5 사이클 이후 높은 충 방전 효율을 보이며 30 사이클까지 안정된 사이클 특성을 나타내었다.

Keywords

References

  1. M. Yoshio, T. Tsumura, N. Dimov, J. of Power Sources 146, 10 (2005) https://doi.org/10.1016/j.jpowsour.2005.03.143
  2. J. Yang, Y. Takeda, N. Imanishi, C. Capiglia, J.Y. Xie, O. Yamamoto, Solid State Ionics 152-153, 125 (2002) https://doi.org/10.1016/S0167-2738(02)00362-4
  3. H. Guo, S. Zhao, H. Zhao, Y. Chen, Electrochim. Acta 54, 4040 (2009) https://doi.org/10.1016/j.electacta.2009.02.033
  4. G. Wang, X. Shen, J. Yao, D. Wexler, J. H. Ahn, Electrochem. Commun. 11, 546 (2009) https://doi.org/10.1016/j.elecom.2008.12.048
  5. L. B. Chen, N. Lu, C. M. Xu, H. C. Yu, T. H. Wang, Electrochim. Acta (2009) article in press https://doi.org/10.1016/j.electacta.2009.02.065
  6. H. Liu, G. Wang, J. S. Park, J. Wang, H. Liu, C. Zhang, Electrochim. Acta 54, 1733 (2009) https://doi.org/10.1016/j.electacta.2008.09.071
  7. Y. NuLi, P. Zhang, Z. Cuo, H. Liu, J. Electrochem. Soc. 155, A196 (2008) https://doi.org/10.1149/1.2826278
  8. J. Y. Luo, H. M. Xiong, Y. Y. Xia, J. Phys. Chem. C 112, 12051 (2008) https://doi.org/10.1021/jp800915f
  9. B. Tang, G. L.Wang, L. H. Zhuo, J. C. Ge, L. J. Cui, Inorg. Chem. 45, 5196 (2006) https://doi.org/10.1021/ic060097b
  10. C. N. R. Rao, F. L. Deepak, G. Gundiah, A. Govindaraj, Prog. Solid State Chem. 31, 8 (2003)
  11. G. W. Sears, Acta Metal. 3, 361 (1955) https://doi.org/10.1016/0001-6160(55)90041-9
  12. Y. Huang, S. Yue, Z. Wang, Q. Wang, C. Shi, Z. Xu, X. D. Bai, C. Tang, and C. Gu, J. Phys. Chem. B 110, 797 (2006)
  13. W. S. Shi, Y. F. Zheng, N. Wang, C. S. Lee, S. T. Lee, J. Vac, Sci. Technol. B 19, 1115 (2001) https://doi.org/10.1116/1.1382871
  14. X. F. Duan, J. F. Wang, C. M. Lieber, Appl. Phys. Lett. 76, 1116 (2000) https://doi.org/10.1063/1.125956
  15. S. C. Lyu, Y. Zhang, H. Ruh, H. J. Lee, C. J. Lee, Chem. Phys. Lett. 367, 717 (2003) https://doi.org/10.1016/S0009-2614(02)01785-2
  16. C. J. Wen, R. A. Huggins, J. Electrochem. Soc. 128, 1638 (1981)
  17. K. T. Lee, Y. S. Jung, J. Y. Kwon, J. H. Kim, S. M. Oh, Chem. Mater. 20, 449 (2008)