Bi-Te 및 Bi-Sb-Te 나노와이어로 구성된 열전소자의 형성공정

Fabrication Process of the Thermoelectric Module Composed of the Bi-Te and the Bi-Sb-Te Nanowires

  • 김민영 (홍익대학교 신소재공학과) ;
  • 임수겸 (홍익대학교 신소재공학과) ;
  • 오태성 (홍익대학교 신소재공학과)
  • Kim, Min-Young (Department of Materials Science and Engineering, Hongik University) ;
  • Lim, Su-Kyum (Department of Materials Science and Engineering, Hongik University) ;
  • Oh, Tae-Sung (Department of Materials Science and Engineering, Hongik University)
  • 발행 : 2008.12.31

초록

n형 Bi-Te 박막과 p형 Bi-Sb-Te 박막을 전기도금법으로 형성하여 열전특성을 측정하였으며, Bi-Te 나노와이어와 Bi-Sb-Te 나노와이어의 전기도금 성장거동을 분석하였다. 알루미나 템프레이트의 200nm 직경의 나노기공 내에 전기도금으로 Bi-Te 나노와이어와 Bi-Sb-Te 나노와이어를 형성시 각기 81%와 77%의 filling 비를 나타내었다. 알루미나 템프레이트에 Bi-Te 나노와이어와 Bi-Sb-Te 나노와이어를 순차적으로 전기도금하여 열전소자를 구성하였으며, Bi-Te 나노와이어 부위의 Ni 전극과 Bi-Sb-Te 나노와이어 부위의 Ni 전극 사이에서 $15{\Omega}$의 저항이 측정되었다.

Thermoelectric properties of the n-type Bi-Te and the p-type Bi-Sb-Te films were measured and the growth behaviors of the electrodeposited Bi-Te and Bi-Sb-Te nanowires were characterized. Filling ratios of 81% and 77% were obtained for electrodeposition of the Bi-Te and the Bi-Sb-Te nanowires, respectively, into the nano pores of 200 nm-diameter of an alumina template. A thermoelectric module, composed of the Bi-Te nanowires and the Bi-Sb-Te nanowires was processed by electrodeposition, and a resistance value of $15{\Omega}$ was measured between the Ni electrodes formed on the Bi-Te nanowires and the Bi-Sb-Te nanowires of the module.

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