마이크로전자및패키징학회지 (Journal of the Microelectronics and Packaging Society)
- 제15권4호
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- Pages.41-49
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- 2008
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- 1226-9360(pISSN)
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- 2287-7525(eISSN)
Bi-Te 및 Bi-Sb-Te 나노와이어로 구성된 열전소자의 형성공정
Fabrication Process of the Thermoelectric Module Composed of the Bi-Te and the Bi-Sb-Te Nanowires
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Kim, Min-Young
(Department of Materials Science and Engineering, Hongik University) ;
- Lim, Su-Kyum (Department of Materials Science and Engineering, Hongik University) ;
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Oh, Tae-Sung
(Department of Materials Science and Engineering, Hongik University)
- 발행 : 2008.12.31
초록
n형 Bi-Te 박막과 p형 Bi-Sb-Te 박막을 전기도금법으로 형성하여 열전특성을 측정하였으며, Bi-Te 나노와이어와 Bi-Sb-Te 나노와이어의 전기도금 성장거동을 분석하였다. 알루미나 템프레이트의 200nm 직경의 나노기공 내에 전기도금으로 Bi-Te 나노와이어와 Bi-Sb-Te 나노와이어를 형성시 각기 81%와 77%의 filling 비를 나타내었다. 알루미나 템프레이트에 Bi-Te 나노와이어와 Bi-Sb-Te 나노와이어를 순차적으로 전기도금하여 열전소자를 구성하였으며, Bi-Te 나노와이어 부위의 Ni 전극과 Bi-Sb-Te 나노와이어 부위의 Ni 전극 사이에서
Thermoelectric properties of the n-type Bi-Te and the p-type Bi-Sb-Te films were measured and the growth behaviors of the electrodeposited Bi-Te and Bi-Sb-Te nanowires were characterized. Filling ratios of 81% and 77% were obtained for electrodeposition of the Bi-Te and the Bi-Sb-Te nanowires, respectively, into the nano pores of 200 nm-diameter of an alumina template. A thermoelectric module, composed of the Bi-Te nanowires and the Bi-Sb-Te nanowires was processed by electrodeposition, and a resistance value of