한국산학기술학회논문지 (Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society)
- 제8권4호
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- Pages.738-742
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- 2007
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- 1975-4701(pISSN)
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- 2288-4688(eISSN)
수소화된 비정질규소 박막트랜지스터의 누설전류
Leakage Current of Hydrogenated Amorphous Silicon Thin-Film Transistors
초록
능동형 평판디스플레이 소자를 제작하기 위해 수소화된 비정질 규소 박막트랜지스터 (a-Si:H TFT)의 상부에 화소전극을 형성하는 과정에 따른 TFT의 특성 변화를 연구하였다. 화소전극 형성 전에 1 pA 수준의 오프상태 전류 및
The variations in the device characteristics of hydrogenated amorphous thin-film transistors (a-Si:H TFTs) were studied according to the processes of pixel electrode fabrication to make active-matrix flat-panel displays. The off-state current was about 1 pA and the switching ratio was over