참고문헌
- L. Harris, D. J. Mowbrag, M. S. Skolnick, M. Hopkinson, G HilI, Appl. Phys. Lett., 73, 969 (1998) https://doi.org/10.1063/1.122055
- D. Pan, E. Towe, S. Kennerly, Appl. Phys. Lett., 73, 1937 (1998) https://doi.org/10.1063/1.122328
- S. Maimon, E. Finkman, G. Bahir, J. M. Garcia, P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett., 73, 2003 (1998) https://doi.org/10.1063/1.122349
- A. D. Stiff, S. Krishna, P. Bhattacharya. S. W. Kennerly, IEEE J. Quantum Electron., 37, 1272 (2001) https://doi.org/10.1109/3.892718
- H. Lee, R. Lowe-Webb, T. J. Johnson, W. Yang and P. C. Sercel, Appi. Phys. Lett., 73, 3556 (1998) https://doi.org/10.1063/1.122805
- H. J. Park, J. H. Kim, J. J. Yoon, J. S. Son, D. Y. Lee, H. H. Ryu, M. H. Jeon, J. Y. Leem, J. Crystal Growth, 300, 319 (2007) https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.11.337
- S. I. Jung, H. Y. Yeo, I. Yun, J. Y. Leem, I. K. Han, J. S. Kim, J. I. Lee, Physica E, 33, 280 (2006) https://doi.org/10.1016/j.physe.2006.03.150
- J. S. Kim, P. W. Yu and J. Y. Leem, J. I. Lee and S. K. Noh, J. S. Kim and G. H. Kim, S. K. Kang and S. I. Ban, S. G. Kim and Y. D. Jang, U. H. Lee, J. S. Vim and D. H. Lee, J. Crystal Growth, 234, 105 (2002) https://doi.org/10.1016/S0022-0248(01)01665-7
- J. S. Kim, J. H. Lee, S. U. Hong, W. S. Han and H. S. Kwack, C. W. Lee and D. K. Oh, J. Appl. Phys., 94, 6603 (2003) https://doi.org/10.1063/1.1621714
- S. J. Lee, S. K. Noh, J. W. Choe, E. K. Kim, J. Crystal Growth, 267, 406 (2004)
- Z. M. Zhao, O. Hul' ko, H. J. Kim, J. Liu, B. Shi, Y. H. Xie, Thin Solid Films, 483, 158 (2005) https://doi.org/10.1016/j.tsf.2005.01.003
- U.W. Pohl, K. POtschke, A. Schliwa, M. B. Lifshits, V. A. Shchukin, D. E. Jesson, D. Bimberg, Physica E, 32, 9 (2006) https://doi.org/10.1016/j.physe.2005.12.145
- B. Ilahi, L. Sfaxi, H. Maaref, G. Bremond, G. Guillot, Superlattices and Microstructures, 36, 56 (2004) https://doi.org/10.1016/j.spmi.2004.08.002
- T. M. Hsu, Y. S. Lan, W.- H. Chang, N. T. Yeh, J. - I. Chyi, Appl. Phys. Lett., 76, 691 (2000) https://doi.org/10.1063/1.125863
- S. J. Xu, XC. Wang, S. J. Chua, C. H. Wang, W. J. Fan, J. Jiang, X G. Xie, Appl. Phys. Lett., 72, 25 (1998) https://doi.org/10.1063/1.120635
- S. J. Chua, S. J. Xu, C. H. Wang, W. J. Fan J. Jiang, X. G. Xie, in Proceedings of the 9th International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, Narosa, India, 1997, p. 11-174
- N. Perret, D. Morris, L. Frachomme-Fosse, R. Cote, S. Fafard, V. Aimez, J. Beauvais, Phys. Rev., B62, 5092 (2000) https://doi.org/10.1103/PhysRevB.62.5092
- S. Malik, C. Roberts, R. Murray, M. Pate, Appl. Phys. Lett., 71, 1987 (1997) https://doi.org/10.1063/1.119763
- J. S. Kim, J. H. Lee and S. U. Hong, W. S. Han, H. S. Kwack, D. K. Oh, J. Crystal Growth, 255, 61 (2003)