Abstract
A Dual-Path Voltage Multiplier for passive RFID Tags was proposed and fabricated by using a 0.25um CMOS process with additional steps for schottky diodes. The proposed circuit needs only 4 additional diodes, and the area increment compared to conventional one is negligible in multi-stage voltage multipliers. The simulation and measurement results show that the output power capability of proposed multiplier are about two times larger than the conventional half-wave multiplier.
본 논문은 기존의 전압 체배기를 개선하여, 전압발생 효율과 전류 구동능력을 향상시킨 이중 경로 전파 전압 체배기를 제안하고 제작하여 특성을 측정하였다. 제안된 회로는 종래의 회로에 비하여 4개의 다이오드가 추가로 필요하나, 이로 인한 면적증가는 무시할 수 있는 수준이다. 시뮬레이션 결과에 의하면, 제안된 회로의 출력 전력은 종래회로에 비하여 약 2배 정도 향상되었다. 제작된 칩의 측정결과로부터 제안된 회로의 전압이득은 부하전류를 구동하지 않는 조건에서, 종래 회로보다 약 51% 정도 향상되었다. 제안된 회로는 UHF 대역 주파수 이상의 RFID 태그와 수동형 센서의 전압 체배기로써 사용하기에 적합하다.
