Journal of the Microelectronics and Packaging Society (마이크로전자및패키징학회지)
- Volume 12 Issue 2 Serial No. 35
- /
- Pages.149-154
- /
- 2005
- /
- 1226-9360(pISSN)
- /
- 2287-7525(eISSN)
Characteristics of Ni/Co Composite Silicides for Poly-silicon Gates
게이트를 상정한 니켈 코발트 복합실리사이드 박막의 물성연구
- Kim, Sang-Yeob (Department of Materials Science and Engineering, University of Seoul) ;
- Jung, Young-Soon (Department of Materials Science and Engineering, University of Seoul) ;
- Song, Oh-Sung (Department of Materials Science and Engineering, University of Seoul)
- Published : 2005.06.01
Abstract
We fabricated Ni/Co(or Co/Ni) composite silicide layers on the non-patterned wafers from Ni(20 nm)/Co(20 nm)/poly-Si(70 nm) structure by rapid thermal annealing of
궁극적으로 게이트를 저저항 복합 실리사이드로 대체하는 가능성을 확인하기 위해 70 nm 두께의 폴리실리콘 위에 각 20nm의 Ni, Co를 열증착기로 적층순서를 달리하여 poly/Ni/Co, poly/Co/Ni구조를 만들었다. 쾌속열처리기를 이용하여 실리사이드화 열처리를 40초간