한국산학기술학회논문지 (Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society)
- 제6권3호
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- Pages.261-264
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- 2005
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- 1975-4701(pISSN)
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- 2288-4688(eISSN)
미세게이트용 폴리실리콘의 쾌속 열처리에 따른 표면조도 변화
Surface Roughness Evolution of Gate Poly Silicon with Rapid Thermal Annealing
초록
90nm급 게이트로 활용되는 폴리실리콘을 패턴화 하기 위해서 하드 마스크의 채용 등 신공정과 함께 폴리실리콘 자체의 평탄화가 필요하다. 본 연구는 70nm 두께의 LPCVD 폴리실리콘 게이트를 상정하여 열산화막 상부에 기판 전면을 폴리실리콘으로 만들고 쾌속열처리 온도를 달리해가며 40초가 열처리하여 이때의 표면조도의 변화를 광발산 주사전자현미경(FESEM)과 주사탐침현미경(AFM)으로 확인하였다. 폴리실리콘은
The 90 nm gate pattern technology have been virtualized by employing the hard mask and the planarization of fate poly silicon. We fabricated 70nm poly-Si on