참고문헌
- A. Shen, Y. Horikoshi, H. Ohno and S. P. Guo, Appl. Phys. Lett., 71, 1540 (1997) https://doi.org/10.1063/1.119973
- H. Ohno, Science, 281, 951 (1998) https://doi.org/10.1126/science.281.5379.951
- A. Shen, F. Matsukura, S. P. Guo, Y. Sugawara, H. Ohno, M. Tani, H. Abe and H.C. Liu, J. Crystal Growth, 201/202, 679 (1999) https://doi.org/10.1016/S0022-0248(98)01447-X
- H. Ohno, J. Mag. Mag. Mater., 200, 110 (1999) https://doi.org/10.1016/S0304-8853(99)00444-8
- T. Hayashi, M. Tanaka, T. Nishinaga, H. Shimada, H. Tsuchiya and Y. Otuka, J. Crystal Growth, 175/176, 1063 (1997) https://doi.org/10.1016/S0022-0248(96)00937-2
- H. Shimizu, T. Hayashi, T. Nishinaga and M. Tanaka, Appl. Phys. Lett., 74, 398 (1999) https://doi.org/10.1063/1.123082
- A. Van Esch, L. Van Bockstal, J. De Boeck, G. Verbanck, A. S. van Steenbergen, P. J. Wellmann, B. Grietens, R. Bogaerts, F. Herlach and G. Borghs, Phys. Rev., B56, 13103 (1997) https://doi.org/10.1103/PhysRevB.56.13103
- K. H. Kim, K. J. Lee, D. J. Kim, H. J. Kim, Y. E. Ihm, C. G. Kim, S. H. Yoo and C. S. Kim, Appl. Phys. Lett., 82, 4755 (2003) https://doi.org/10.1063/1.1586484
- K. H. Kim, K. J. Lee, D. J. Kim, C. S. Kim, H. C. Lee, C. G. Kim, S. H. Yoo, H. J. Kim and Y. E. Ihm, J. Appl. Phys., 93, 6793 (2003) https://doi.org/10.1063/1.1556114
- H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto and Y. Iye, Appl. Phys. Lett., 69, 363 (1996) https://doi.org/10.1063/1.118061
- K. H. Kim, J. H. Park, B. D. Kim, C. S. Kim, D. J. Kim, H. J. Kim and Y. E. Ihm, Metals Mater., 8, 177 (2002) https://doi.org/10.1007/BF03027015
- C. R. Chang, IEEE Tr. Mag., 36, 1214 (2000) https://doi.org/10.1109/20.877658
- K. Kakuno, Jpn. J. Appl. Phys., 33, 1334 (1994) https://doi.org/10.1143/JJAP.33.1334
- F. C. Yu, W. S. Im, C. X. Gao, D. J. Kim, H. J. Kim and Y. E. Ihm, Nanotechnology, submitted
- M. Tanaka, J. P. Harbison, J. Deboeck, T. Sands, B. Philips, T. L. Cheeks and V. G. Keramidas, Appl. Phys. Lett., 63, 1565 (1993) https://doi.org/10.1063/1.108642