마이크로전자및패키징학회지 (Journal of the Microelectronics and Packaging Society)
- 제11권4호
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- Pages.81-86
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- 2004
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- 1226-9360(pISSN)
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- 2287-7525(eISSN)
Megasonic wave를 이용한 실리콘 이방성 습식 식각의 특성 개선
The Improved Characteristics of Wet Anisotropic Etching of Si with Megasonic Wave
- Che Woo-Seong (Dept. of Mechatronics, Tongmyong University of Information Technology) ;
- Suk Chang-Gil (Ultech. Co., Ltd)
- 발행 : 2004.12.01
초록
메가소닉파을 이용하여 KOH 용액에서의 실리콘 이방성 습식 식각의 특성들을 개선하기 위한 새로운 방법에 관한 연구를 하였다. P형 6인치 실리콘 웨이퍼를 메가소닉파를 이용한 상태와 이용하지 않은 상태에서 식각 실험을 각각 수행하여 식각 특성들을 비교하였다. 메가소닉파는 식각균일도, 표면 조도 등과 같은 습식 식각의 특성들을 개선시키는 것으로 나타났다. 메가소닉파를 이용했을 때 식각 균일도는 전체 웨이퍼 표면의
A new method to improve the wet etching characteristics is described. The anisotropic wet-etching of (100) Si with megasonic wave has been studied in KOH solution. Etching characteristics of p-type (100) 6 inch Si have been explored with and without megasonic irradiation. It has been observed that megasonic irradiation improves the characteristics of wet etching such as an etch uniformity and surface roughness. The etching uniformity on the whole wafer with and without megasonic irradiation were less than