한국결정학회지 (Korean Journal of Crystallography)

한국결정학회 (Korean Crystallographic Association)
권호 표지

VGF법을 이용한 $Bi_2Te_{2.55}Se_{0.45}$의 일방향 응고에 관한 연구

Unidirectional Solidification of $Bi_2Te_{2.55}Se_{0.45}$ using a VGF Method

  • 김영희 (세라믹ㆍ건재부, 요업기술원) ;
  • 김기수 (벤처전문대학원, 호서대학교) ;
  • 김수룡 (세라믹ㆍ건재부, 요업기술원) ;
  • 정상진 (세라믹세라믹ㆍ건재부, 요업기술원) ;
  • 이윤주 (세라믹세라믹ㆍ건재부, 요업기술원) ;
  • 박동선 ((주)이플러스티)
  • 발행 : 2003.06.01
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초록

VGF법을 사용하여 CuBr₂ dopant가 첨가된 Bi₂Te/sub 2.55/Se/sub 0.45/ 열전재료를 제조하였다. 이 방법을 사용하여 일방향으로 성장된 Bi₂Te/sub 2.55/Se/sub 0.45/ 잉곳의 제조가 가능하였으며 XRD 분석 결과 우선성장 방향이 (0 1 5)면임이 밝혀졌다. 본 실험을 통하여 제조한 열전재료의 Seebeck 계수와 전기전도도를 373∼523 K 범위에서 측정하였다.

The preparation of n-type thermoelectric material of Bi₂ Te/sub 2.55/Se/sub 0.45/ doped with CuBr₂ was carried out using a vertical gradient freezing method. With this method, unidirectional solidified Bi₂Te/sub 2.55/Se/sub 0.45/ has been obtained. XRD analysis demonstrated that Bi₂/sub 2.55/Se/sub 0.45/ 5 ingot has grown with prefer orientation of (0 1 5) face. Seebeck coefficient and electrical conductivity were measured as functions of temperature in the range of 373 K to 523 K on the sample which prepared via VGF method.

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참고문헌

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