초록
밀리미터파 대역용 고속 PHEMT 소자 제작 및 개발을 위하여 다층 리지스트 및 다원자 기판 구조에서 전자빔 리소그래피 공정을 분석할 수 있는 새로운 몬테 카를로 시뮬레이션 모델을 개발하였다. 전자빔에 의해 다층 다원자 타겟 기판 구조에 전이되는 에너지를 정확하고 효율적으로 계산하기 위하여 다층 리지스트 및 다층 다원자 기판 구조에서 시뮬레이션 가능하도록 새로이 모델링하였다. 본 논문에서 제안 개발된 모델을 사용하여 PHEMT 소자의 전자빔 리소그래피에 의한 T-게이트 형성 공정을 시뮬레이션하고 SEM측정 결과와 비교 분석하여 타당성을 검증하였다.
A new Monte Carlo (MC) simulator for electron beam lithography process in the multi-layer resists and compound semiconductor substrates has been developed in order to fabricate and develop the high-speed PHEMT devices for millimeter-wave frequencies. For the accurate and efficient calculation of the transferred and deposited energy distribution to the multi-component and multi-layer targets by electron beams, we newly modeled for the multi-layer resists and heterogeneous multi-layer substrates. By this model, the T-shaped gate fabrication process by electron beam lithography in the PHEMT device has been simulated and analyzed. The simulation results are shown along with the SEM observations in the T-gate formation process, which verifies the new model in this paper.
