플립 칩 실장에 있어 본딩 패드 패턴의 고주파 특성 비교

A Comparison of RF Properties of Bonding Pad in Flip-Chip Packaging

플립 칩 패키징에 있어 CPW배선 구조에 본딩 패드를 구성하여 1GHz부터 35GHz 범위에서 고주파 특성 변화를 관찰하였다. 본딩 패드로 구성된 구조들에 대한 시뮬레이션을 수행하고, 제작된 CPW의 S 파라미터를 측정하였다. 측정 결과 접지선과 신호선에 본딩 패드를 구성한 패턴은 기존 CPW의 S 파라미터 특성과 대등한 $S_{11}$은 -31 dB 이하, $S_{21}$은 -0.19 dB 이상이 관찰되었다. 아울러 접지선 폭에 따른 고주파 특성에서는 접지선 폭의 증가가 고주파 특성 개선을 가져왔다. 고주파 대역에서 플립 칩의 배선 구조로 제안된 본 연구의 본딩 패턴은 유효하였다.

RF characteristics of CPW(coplanar waveguide) pattern with bonding pads used in flip-chip packaging of GaAs is studied in the frequency range of 1 GHz to 35 GHz. Simulation, fabrication and evaluation are performed for the proposed patterns. Measurement results show proposed patterns have similar properties of $S_{11}$below -31 dB and $S_{21}$ above -0.19 dB with typical CPW In addition RF properties are improved with the increase of width of ground line. This indicates CPW structure with bonding pads keeps RF characteristics of typical CPW.