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밀러 커패시턴스의 영양에 의한 IPM의 오동작과 대책

A Fault Operation of the IPM Due to the Effect of Miller Capacitance and its Solution

  • 조수억 (부산대학교 전기공학과) ;
  • 강필순 (오사카공대 전기공학과) ;
  • 김철우 (부산대학교 공과대학 전자전기통신공학부)
  • 발행 : 2003.11.01

초록

본 논문에서는 IPM의 전기적인 기생 성분 중에서 성능에 가장 크게 영향을 미치는 밀러 커패시턴스에 의하여 발생하는 오동작을 시뮬레이션을 통하여 증명하고 이를 최소화하기 위한 방법을 제시한다. 게이트와 컬렉트 단자간에 형성되는 밀러 커패시턴스와 밀접하게 관련된 게이트-에미터 사이의 기생 커패시턴스와 게이트 저항과의 상관 관계를 PSpice 시뮬레이션을 통하여 분석한다. 또한 시뮬레이션 결과를 바탕으로 IPM의 오동작을 최소화하기 위한 보조 회로를 삽입한 주문형 IPM을 제시한다. 표준형 IPM과 오동작 방지를 위해 보조회로가 삽입된 주문형 IPM의 실험 파형을 통해서 주문형 IPM이 약 3 [V]의 오동작에 대한 여유 전압을 가짐을 확인할 수 있다.

This paper analyses a fault operation due to the effect of miller capacitance, which severely influences the performance of the IPMs based on computer-aided simulations, and also it presents a good solution to solve that problem. A miller capacitance existed between gate and collect is very closely related to the stray capacitance formed between gate and emitter, and the value of gate resistor. These relationships are proved by the computer-aided simulation. Based on the PSpice simulation results, a customized IPM employing an auxiliary circuit is presented to minimize a fault operation. And it is compared to the standard IPM by the experimental waveform. As a result, it is verified that a customized IPM has a voltage margin to prevent a fault operation approx. 3 [V].

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