Abstract
In this work, we used a novel RF-CSP to develop a broadband amplifier MMIC, including all the matching and biasing components, for Ku and K band applications. By utilizing an ACF for the RF-CSP, the fabrication process for the packaged amplifier MMIC could be simplified and made cost effective. STO (SrTiO$_3$) capacitors were employed to integrate the DC biasing components on the MMIC. A pre-matching technique was used for the gate input and drain output of the FETs to achieve a broadband design for the amplifier MMIC. The amplifier CSP MMIC exhibited good RF performance (Gain of 12.5$\pm$1.5 dB, return loss less than -6 dB, PldB of 18.5$\pm$1.5 dBm) over a wide frequency range. This work is the first report of a fully integrated CSP amplifier MMIC successfully operating in the Ku/K band.
본 논문에서는 새로운 형태의 CSP (chip site package)를 이용하여 정합소자 린 바이어스소자를 MMIC상에 완전집적한 Ku/K밴드 광대역 증폭기 MMIC에 관하여 보고한다. 새로운 형태의 CSP에 대해서는 이방성 도전필름인 ACF (anisotropic conductive film)을 이용하였으며, 그 결과 MMIC 패키지 프로세스가 간략화 되었고, CSP MMIC의 저 가격화가 실현되었다. MMIC상에 집적하기 위한 DC 바이어스 용량소자로서는 고유전율의 STO (SrTiO3) 필름 커패시터가 이용되었다. 제작된 CSP MMIC는 광대역 RF동작특성 (12-24 GHz에서 12.5$\pm$1.5 dB의 이득치, -6 dB이하의 반사계수, 18.5$\pm$1.5 dBm의 PldB) 을 보였다. 본 논문은 K 또는 Ku 밴드의 주파수대역에 있어서의 완전집적화 CSP MMIC에 관한 최초의 보고이다.
