The Journal of The Korea Institute of Intelligent Transport Systems (한국ITS학회 논문지)

The Korea Institute of Intelligent Transport Systems (한국ITS학회)
권호 표지

The Design and Implementation of SSPA(Solid State Power Amplifier) using chip device

Chip소자를 이용한 SSPA 설계 및 제작에 관한 연구

  • 김용환 (광운대학교 전파공학과) ;
  • 민준기 (광운대학교 전파공학과) ;
  • 김현진 (광운대학교 전파공학과) ;
  • 유형수 (광운대학교 전파공학과) ;
  • 이형규 (광운대학교 전파공학과) ;
  • 홍의석 (광운대학교 전파공학과)
  • Published : 2003.12.01
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Abstract

In this work a 6-stage hybrid power amplifier which can be used for the wireless communication systems for MMC(hficrowave Micro Cell) and ITS wireless communication system is designed and fabricated. Ihe power amplifier's each stages was fabricated Hetero-junction Power FET of bare chip type and an alumina substrate with $\varepsilon_{r}$=9.9 and 15-mil thickness. The measured results of power amplifier module showed 33.2$\~$36.5 dB small signal gain, 33.0$\~$34.0 dBm output power at forward frequency (17.6 GHa $\~$ 17.9 CHz) and 36.0$\~$37.0 dB small signal gain, 33.0$\~$34.5 dBm output power at reverse frequency (19.0 GHz $\~$19.2GHz).

본 연구를 통하여 MMC(Microwave Micro Cell)를 위한 무선 중계 시스템과 ITS용 무선장비등에 사용 될 수있는 6단의 하이브리드 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 전력 증폭기 각단의 능동소자는 bare chip 형태의 Hetero-junction Power FET를 이용하였으며, $\varepsilon_{r}$=9.9, 15-mil 두께의 알루미나기판을 사용하여 제작하였다. 측정 결과 시스템의 순방향 주파수인 17.6GHz - 17.gGEU에서 33.2~36.5dB의 소신호 이득과 33.0$\~$34.0dBm까지의 출력전력을 얻었고, 역방향 주파수인 19.0GHt$\~$19.2GHz에서 36.0$\~$37.0dB의 소신호 이득을 출력전력은 33.0$\~$34.5dBm을 얻었다.

Keywords