대한전자공학회논문지TE (Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TE)

대한전자공학회 (The Institute of Electronics and Information Engineers)
권호 표지

SPM을 이용한 수소화된 p형 Si(100) 표면의 미세구조 제작

Fabrication of Nanometer-scale Structure of Hydrogen-passivated p-type Si(100) Surface by SPM

  • 김동식 (仁荷工業專門大學 컴퓨터情報工學部)
  • Kim, Dong-Sik (School of Computing & Information Syytems Inha Technical College)
  • 발행 : 2002.06.01
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초록

수소화된 p형 Si(100)표면에 대기중에서 작동하는 주사형 터널링 현미경(scanning tunneling microscopy-STM)을 이용하여 미세구조를 제작하였다. 시료의 표면처리는 HF 용액에 1분간 담가 수소화하였다. STM의 탐침은 백금합금을 역학적인 방법으로 45$^{\circ}$로 잘라서 사용하였다. STM의 바이어스 전압을 변화시켜가며 미세구조를 제작하였다. 최적의 미세구조 선폭은 30 nm이고 이 때의 바이어스 전압은 1.7V, 터널링 전류는 1nA였다.

Various nanometer-scale structures are fabricated on hydrogen-passivated p-type Si(100) surface by scanning probe microscopy(SPM). The hydrogen-passivation is performed by dipping the samples in diluted 10% HF solution for one min.. Pt alloy wires are used for tips and the tips are made by cutting the wires at 45$^{\circ}$ slanted. Various line features are fabricated in various bias voltage. The optimal structure is the line of about 30 nm width on 1.7V bias voltage and 1 nA tunneling current.  

키워드

참고문헌

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