References
- H. B. Kang, D. Y. Jeong, J. H. Lim, S. H. Oh, S. S. Lee, S. K. Hong, S. S. Kim, Y. J. Park and J. Y. Chung, Journal of semiconductor technology and science, 2(2), 111, 2002
- M. K. Choi, B. G. Jeon, N. Jang, B. J. Min, Y. J. Song, S. Y. Lee, H. H. Kim, D. J. Jung, H. J. Joo, and K. Kim, ISSCC Dig. Tech. Papers, pp. 162-163, 2002
- H. Ishiwara, Journal of semiconductor technology and science, 1(1), 1, 2001
- S. Y. Wu, IEEE Trans. Electron Devices, 21, 499, 1974
- Y. Matsui, M. Okuyama, M. Noda, and Y. Hamakawa, Appl. Phys. A, 28, 161, 1982
- P. Han, and T. P. Ma, Appl. Phys. Lett. 72, 1185, 1998 https://doi.org/10.1063/1.121008
- Sakasi, E. Tokumitu, and H. Ishiwara, Jpn. J. Appl. Phys. 35, 4987, 1996 https://doi.org/10.1143/JJAP.35.4987
- T. Hirai, Y. Fujisaki, K. Nagashima, H. Koike, and Y. Tarui, Jpn. J. Appl. Phys. 36, 5908, 1997 https://doi.org/10.1143/JJAP.36.5908
- H. N. Lee, M. H. Lim, Y. T. Kim, T. S. Kalkur, and S. H. Choh, Jpn. J. Appl, Phys. 37, 1107, 1998
- K. H. Kim, J. D. Kim, and H. Ishiwara, Appl. Phys. Lett., 66(23), 3143, 1995
- B. Yang, S. S. Lee, Y. M. Kang, K. H. Noh, S. K. Hong, S. H. Oh, E. Y. Kang, S. W. Lee, J. G. Kim, C. W. Shu, J. Y. Seong, C. G. Lee, N. S. Kang, and Y. J. Park, Journal of semiconductor technology and science, 1 (3), 141, 2001
- S. L .Miller, and P. J. McWhorter, J. Appl. Phys., 72, 5999, 1992 https://doi.org/10.1063/1.351910
- E. H. Nicollian, and J. R. Brews, MOS(Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology (John Wiley & Sons, New York), pp. 319, 1982
- T. Miki et al., IEEE J. Solid-State Circuits, vol SC-21, pp. 983, 1986
- K.H. Ryu and K.S. Yoon Proceedings of ITC-CSCC '98, pp. 1439, 1988