마이크로전자및패키징학회지 (Journal of the Microelectronics and Packaging Society)
- 제9권4호
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- Pages.25-29
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- 2002
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- 1226-9360(pISSN)
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- 2287-7525(eISSN)
SOI 구조를 이용한 수직 Hall 센서에 대한 특성 연구
Characteristic Analysis of The Vertical Trench Hall Sensor using SOI Structure
초록
기존 홀 센서의 단점을 개선하기 위해서 트랜치를 이용한 수직 홀 센서를 제작하였다. 수직 홀 센서는 센서의 칩 표면에 수평 자계를 검출할 수 있으며, 홀 센서는 실리콘 직접 본딩 기술에 의해 제작된 SOI 기판 위에 제작하였다. 기판 아래의
We have fabricated a vertical trench Hall device which is sensitive to the magnetic field parallel to the sensor surface. The vertical trench Hall device has been built on SOI wafer which is produced by silicon direct bonding technology using bulk micromachining, where buried