한국통신학회논문지 (The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences)

  • 제27권3C호
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  • Pages.234-240
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  • 2002
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  • 1226-4717(pISSN)
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  • 2287-3880(eISSN)
한국통신학회 (The Korean Institute of Commucations and Information Sciences)
권호 표지

준밀리미터파 BWLL용 HBT 전력증폭기 설계 및 제작

Design and Fabrication of a HBT Power Amplifier for Quasi Millimeter-wave Broadband Wireless Local Loop Applications

  • 김창우 (경희대학교 전자정보학부) ;
  • 채규성 (경희대학교 일반대학원 전파공학과)
  • 발행 : 2002.03.01
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초록

AlGaAs/InGaAs/GaAs HBT를 이용하여 준밀리미터파 광대역 무선망(BWLL) 시스템의 가입자용 장치에 사용 가능한 전력증폭기를 개발하였다. 베이스 접지 HBT 소자의 비선형 등가 회로를 추출하여 선형 및 비선형 회로 시뮬레이션을 통하여 출력 전력 정합 회로를 갖는 증폭기를 설계하였으며, 이를 기초로 하여 세라믹 기판 위의 스텁을 이용하여 하이브리드 형태로 증폭기를 구현하였다. 제작된 전력증폭기는 24.4 GHz에서 최대 포화 출력 25.5 dBm, 35%의 전력 부가 효율을 얻었으며, 24.8 GHz에서는 7.5 dB의 최대 선형 이득을 얻었다. 또한, 24.25 GHz∼24.75 GHz의 주파수 대역에서 22 dBm 이상의 포화 출력 전력과 25% 이상의 전력 부가 효율을 얻었다.

A power amplifier with AlGaAs/InGaAs/GaAs HBT's has been developed for customer premise equipments of the quasi millimeter-wave frequency-band broadband wireless local loop(BWLL) system. Parameters of the linear and nonlinear equivalent circuits for a common base HBT have been extracted by a fitting method. The amplifier has been designed through the linear and nonlinear circuit simulations and fabricated on a ceramic substrate for a hybrid IC. The amplifier has produced a 25.5-dBm output power with 35% power-added efficiency(PAE) at 24.4 GHz and achieved a 7.5-dB linear power gain at 24.8 GHz. In 24.25 ∼24.75 GHz band, the amplifier has exhibited a saturated output over larger than 22 dBm and PAE higher than 25%.

키워드

참고문헌

  1. 한국 전자파학회지 v.11 no.2 광대역 무선 가입자망(BWLL)용 국내 기술 개발 맹성재
  2. IEEE MTT-S Symp. Dig. v.1 Accurate analysis of millimeter-wave MMIC power amplifier using distributed FET model T. Kuwabara(et al.)
  3. IEEE Trans. Microwave Theory Tech. v.46 no.12 A high-power and high efficiency monolithic power amplifier at 28 GHz for LMDS applications M. K. Siddiqui(et al.) https://doi.org/10.1109/22.739201
  4. IEEE MTT-S Symp. Dig. High-power, high-efficiency cell design for 26 GHz HBT power amplifier S. Tanaka(et al.)
  5. IEEE GaAs IC Symp. Tech. Dig. 12-40 GHz low hamonic distortion and phase noise performance of GaAs heterojunction bipolar transistor M. E. Kim(et al.)
  6. IEEE GaAs Symp. Tech. Dig. High power AlGaAs/GaAs HBTs for Ka-band operation C.-W. Kim(et al.)
  7. IEEE MTT Symp. Dig. v.1 A Ka-band HBT MMIC Power amplifier S. Tanaka(et al.)
  8. IEEE MTT Symp. Dig. v.2 42% high efficiency two-stage HBT power amplifier MMIC for W-CDMA Cellular Phone System T. Iwai(et al.)
  9. IEEE Trans. Electron Device v.45 no.1 Design considerations for millimeter-wave power HBT's based on gain performance analysis S. Tanaka(et al.) https://doi.org/10.1109/16.658809