Abstract
Co-Zn ferrite thin films grown on thermally oxidized silicon wafers were fabricated by a sol-gel method. Magnetic and structural properties of Co-Zn thin films were investigated by using x-ray diffractometer (XRD), atomic force microscopy (AFM), auger electron spectroscopy (AES) and a vibrating sample magnetometer (VSM). Co-Zn ferrite thin films annealed at 400 $^{\circ}C$ presented have only a single phase spinel structure without any preferred crystallite orientation. Their surface roughness of Co-Zn ferrite thin films was shown as less than 3 nm and the grain size was about 40 nm for annealing temperatures over 600 $^{\circ}C$. A moderate saturation magnetization of Co-Zn ferrite thin films for recording media was obtained in this study and there is no significant difference of their magnetic property with those external fields of parallel and perpendicular to planes of the films. The maximum value of the coercivity was obtained as 1,900 Oe for Co-Zn ferrite thin film annealed at 600 $^{\circ}C$.
Sol-gel법을 이용하여 Co$_{0.9}$Zn$_{0.1}$Fe$_2$O$_4$ 박막을 제조하였다. 성장한 박막의 구조 및 자기적 성질에 관하여 x선 회절분석기 (XRD), atomic force microscopy(AFM) 및 Auger electron spectroscopy(AES), 진동시료자화측정기 (VSM)을 이용하였다. Co-Zn 페라이트 박막의 경우, 400 $^{\circ}C$ 이상의 열처리 온도에서 단일상의 spinel 구조만을 가지고 있으며, 아무런 방향성이 없이 성장함을 나타내고 있다. 열처리 온도가 600 $^{\circ}C$ 이하에서 성장된 박막 표면의 거칠기는 3 nm 이하였으며, 형성된 입자의 크기는 약 40nm이하임을 알 수 있었다. 또한, 40$0^{\circ}C$에서 열처리한 경우 기판에서 Si이 Co-Zn 페라이트 박막내로 확산이 거의 나타나지 않았으나, 870 $^{\circ}C$에서 열처리한 경우 계면에서 기판과 박막의 상호 확산을 확인할 수 있었다. 제작한 박막은 외부 자기장의 방향과는 무관한 등방성의 자기적 특성을 보이며, 최대 보자력은 600 $^{\circ}C$에선 열처리한 자성박막이 약 1,900 Oe을 가짐을 알 수 있었다.있었다.
