Abstract
A 900 MHz low-noise amplifier(LNA) with a measured noise figure of 4.8 dB and an associated gain of 13.2 dB was fabricated in a 0.65 $\mu$m CMOS. The inductive source architecture of offers the possibility of achieving the best noise performance. At 900 MHz, the fabricated LNA dissipates 39 mW from a single 3 V power supply including the bias circuitry and provides -26dB input return loss, -17 dB output return loss, and an input 1-dB compression level of -12 dBm.
본 논문에서는 0.65 $\mu$m CMOS 공정을 이용한 900MHz 대역의 저잡음 증폭기를 설계하였다. 입력 매칭은 전력소모가 가정 적고 NF도 가장 작은 인덕터 종단 정합회로를 사용하였다. 온칩 상에 바이어스 안정화를 포한시켰으며, 전원은 3V를 공급하였을 때 전력 소모는 39mW이다. 설계된 저잡음 증폭기의 특성능 900MHz 대역에서 13.2dB의 이득과 4.8dB의 Noise Figure가 측정이 되었다. 입력 반사손실으 -26dB, 츨력반사 손실은 -17dB을 얻었으며, 입력 1-dB 억압 -12dBm을 얻었다.
