Journal of the Korean Electrochemical Society (전기화학회지)

The Korean Electrochemical Society (한국전기화학회)
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Anode Characteristics of $SnO_x$ Films with Various Oxygen Contents

산소량에 따른 $SnO_x$ 박막의 음극 특성

  • Moon Hee-Soo (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University) ;
  • Seong Sang-Hyun (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University) ;
  • Kim Young-Il (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University) ;
  • Park Jong-Wan (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University)
  • 문희수 (한양대학교 공과대학 재료공학부) ;
  • 성상현 (한양대학교 공과대학 재료공학부) ;
  • 김영일 (한양대학교 공과대학 재료공학부) ;
  • 박종완 (한양대학교 공과대학 재료공학부)
  • Published : 2000.08.01
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Abstract

In this experiments, tin oxide thin film anode for microbattery was deposited by using RF magnetron sputtering. The RF power and operating pressure during deposition were fixed at $2.5W/cm^2$ and 10mTorr respectively. The partial pressure of oxygen was varied from $0\%\;to\;100\%$ to control oxygen content and metal Sn chips were used further reducing of oxygen content. According to reduction in the oxygen content formation of the irreversible $Li_2O$ was reduced a thin film anode of $SnO_x$ of high capacity was fabricated. The optimum $SnO_x$, thin film was $SnO_{1.43}$ which exhibited a reversible capacity of $ 500{\mu}Ah/cm^2{\mu}m$ and exhibited good reversibility.

본 실험에서는 리튬 이차 박막전지의 음극물질로 주석 산화물 박막을 RF magnetron sputter을 이용하여 증착하였다. RF power와 공정 압력을 각각 $2.5W/cm^2$와 10mTorr로 고정시키고 박막 중의 산소량을 조절하기 위해 산소 분압을 $0\~100\%$까지 조절하여 실험하였으며, 산소량을 더 줄이기 위해 주석 금속 칩을 사용하여 조절하였다. 산소량을 줄여 줌으로써 비가역적으로 형성되는 리튬산화물의 량을 줄이고 고용량의 $SnO_x$음극 박막을 제조하였다. 그 중 $SnO_{1.43}$일 때 가장 큰 가역용량(약$ 500{\mu}Ah/cm^2{\mu}m$) 얻었다.

Keywords