전기화학회지 (Journal of the Korean Electrochemical Society)
- 제3권1호
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- Pages.19-24
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- 2000
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- 1229-1935(pISSN)
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- 2288-9000(eISSN)
DOI QR Code
Mesh-type PECVD 방법으로 제조된 비정질 Si박막의 특성 및 레이저 결정화
Characteristics of Amorphous Si Films Fabricated by Mesh-type PECVD and Their Crystallization Behavior Using Excimer Laser
- 한상용 (홍익대학교 금속 재료공학과) ;
- 최재식 (홍익대학교 금속 재료공학과) ;
- 김용수 (홍익대학교 금속 재료공학과) ;
- 박성계 (홍익대학교 금속 재료공학과) ;
-
노재상
(홍익대학교 금속 재료공학과) ;
-
김형준
(홍익대학교 금속 재료공학과)
- Han Sang-Yong (Dept. of Metal. And Mat. Sci., Hong-Ik University) ;
- Choi Jae-Sik (Dept. of Metal. And Mat. Sci., Hong-Ik University) ;
- Kim Yong-Su (Dept. of Metal. And Mat. Sci., Hong-Ik University) ;
- Park Sung-Gye (Dept. of Metal. And Mat. Sci., Hong-Ik University) ;
-
Ro Jae-Sang
(Dept. of Metal. And Mat. Sci., Hong-Ik University) ;
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Kim Hyoung-June
(Dept. of Metal. And Mat. Sci., Hong-Ik University)
- 발행 : 2000.02.01
초록
poly-Si TR는 LCD의 고해상도화, 고집적화에 따라 그 요구가 점점 필요해지고 있다. 그러나 poly-Si의 제조를 위해 주로 사용하는 레이저 결정화 방법은 박막 내에 함유된 수소 때문에 별도의 탈수소 공정을 행하는 실정이다. 막내의 수소는 결정화 시 eruption과 void등의 생성으로 poly Si의 막 특성뿐 아니라 소자 특성에도 나쁜 영향을 미치게 된다. 본 연구에서는 전술한 문제점을 제어하기 위해 mesh-type PECVD를 제안하고 저수소화 박막 증착에 관한 연구를 수행하였다. 증착된 비정질 Si 박막은
It is increasingly necessary to use poly-Si n's as high resolution and integration of Tn for LCD. Excimer Laser Crystallization (ELC) of a-Si is mainly used as a low temperature process. But the ELC method for the fabrication of poly-Si has the eruption problems associated with hydrogen in the a-Si film. So we need a dehydro-genation process additionally. Hydrogen in a-Si film can degrade the quality of poly-Si film and electrical properties of device due to the hydrogen eruption and voids which occur during the excimer laser annealing. In this study, we propose mesh-type PECVD as the a-Si film deposition method for achieving the low concentration hydrogen. Mesh-type PECVD was found to reduce the hydrogen content substantially. We could obtain a as-deposited a-Si film with hydrogen contents less than