센서학회지 (Journal of Sensor Science and Technology)
- 제9권3호
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- Pages.177-181
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- 2000
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- 1225-5475(pISSN)
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- 2093-7563(eISSN)
변위센서응용을 위한 피라미드형 실리콘 턴널링소자의 제조
Fabrication of the pyramid-type silicon tunneling devices for displacement sensor applications
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마대영
(경상대학교 전기전자공학부, 자동화 및 컴퓨터 응용기술연구소) ;
- 박기철 (경상대학교 전기전자공학부, 자동화 및 컴퓨터 응용기술연구소) ;
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김정규
(경상대학교 전기전자공학부, 자동화 및 컴퓨터 응용기술연구소)
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Ma, Tae-Young
(Division of Electrical and Electronic Eng, Research Institute of Automation & Computer Eng.) ;
- Park, Ki-Cheol (Division of Electrical and Electronic Eng, Research Institute of Automation & Computer Eng.) ;
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Kim, Jeong-Gyoo
(Division of Electrical and Electronic Eng, Research Institute of Automation & Computer Eng.)
- 발행 : 2000.05.31
초록
턴널링 전류는 전극사이의 거리에 지수적으로 비례한다. 따라서 턴널링 전류의 변화측정을 통하여 전극간격의 미세변위를 측정할 수 있다. 본 실험에서는 micro-tip과 membrane사이에 턴널링 전류가 흐르는 피라미드형 실리콘 턴널링소자를 micro-electro-mechanical systems (MEMS) 공정을 이용하여 제조하였다. 단결정 실리콘을 KOH 용액안에서 이방성 에칭 시켜 micro-tip을 제조하였으며, 이때
The tunneling current is exponentially dependent on the separation gap between a pair of conductors. The detection of displacement can be, therefore, carried out by measurment of a variation in the tunneling current. In this experiment, we fabricated pyramid-type silicon tunneling devices in which a tunneling current flow between a micro-tip and
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