Journal of Sensor Science and Technology (센서학회지)

The Korean Sensors Society (한국센서학회)
권호 표지

Dielectric characteristics with poling of P(VDF/TrFE) films for pyroelectric infrared sensor

초전형 적외선 센서용 P(VDF/TrFE) 막의 분극에 따른 유전특성의 변화

  • Kwon, Sung-Yeol (Dept. of Sensor Eng., Kyungpook National University) ;
  • Kim, Young-Woo (School of Electrical and Electronics Eng., Kyungpook National University) ;
  • Baem, Seung-Choon (School of Electrical and Electronics Eng., Kyungpook National University) ;
  • Park, Sung-Kun (School of Electrical and Electronics Eng., Kyungpook National University) ;
  • Kim, Ki-Wan (School of Electrical and Electronics Eng., Kyungpook National University)
  • 권성렬 (경북대학교 센서공학과) ;
  • 김영우 (경북대학교 전자전기공학과) ;
  • 배승춘 (경북대학교 전자전기공학과) ;
  • 박성근 (경북대학교 전자전기공학과) ;
  • 김기완 (경북대학교 전자전기공학과)
  • Published : 2000.01.31
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Abstract

Dielectric characteristics of P(VDF/TrFE) film manufactured using spin coating technique have been investigated. To improve the crystallinity and quality of film, the film was three step annealed. Simple etching process and conditions for P(VDF/TrFE) film were established using top electrode as a mask. Poling is performed by several steps. $1.87\;{\mu}m$ thick P(VDF/TrFE) films were obtained with conditions such that the solution of 10 wt% concentration was spun at 3000rpm for 30 seconds. Before poling, dielectric constant and dielectric loss of P(VDF/TrFE) film were 13.5 and 0.042, respectively. After poling, dielectric constant and dielectric loss of P(VDF/TrFE) film were 11.5 and 0.037, respectively.

스핀 코팅 방법으로 제조된 P(VDF/TrFE) 막의 유전적 특성을 조사하였다. 막의 결정성과 막질을 개선하기 위해 스핀 코팅 후에 3 단계에 걸친 열처리 공정을 하였다. 상부전극을 마스크로 사용하는 간단한 P(VDF/TrFE) 막의 식각공정과 조건을 확립하였다. 분극을 여러 단계에 걸쳐 하는 정확한 분극공정을 실현하였다. 스핀코팅으로 제조된 막의 두께는 용액농도 10 wt%, 스핀속도 3000 rpm, 스핀시간 30초에서 $1.87\;{\mu}m$였다. 제조된 P(VDF/TrFE) 막의 유전상수와 유전손실을 측정하였다. 1 kHz의 주파수에서 분극전 P(VDF/TrFE) 막의 유전상수는 13.5, 유전 손실은 0.042로 나타났으며 분극후 각각 11.5, 0.037로 나타났다.

Keywords