Abstract
Effects of Mo and Si addition in Cr underlayer on magnetic properties of CoCrTa/CrMo and CoCrTa/Si thin films media were investigated. Thin films were prepared with DC magnetron sputtering system. The thickness of CoCrTa magnetic layer and Cr underlayer were fixed at 300 $\AA$ and 700 $\AA$, respectively. The substrate heating temperature was kept constant at 26$0^{\circ}C$ for both magnetic layer and underlayer preparation. The coercivity increase of CoCrTa film was realized due to Mo addition in Cr underlayer. Si addition made a small decrease in coercivity. Coercivity increase seems to be attributed by the improvement of preferred orientation of Cr(200) plane. It is found that lattice fit between Cr(200) and CoCrTa(1120) of CrMo underlayer is better than that of CrSi underlayer. This small misfit may also contribute coercivity increase.
CoCrTa/Cr 자성박막의 Cr 하지층에 Mo와 Si을 첨가하여 제조한 박막의 자기적 성질에 미치는 Mo와 Si의 영향에 대하여 조사하였다. 증착시 사용된 장비는 DC magnetron sputtering system이었고, CoCrTa 자성층의 두께는 30.0$\AA$으로 Cr 하지층의 두께는 700$\AA$으로 고정하였으며 기판의 가열온도는 26$0^{\circ}C$이었다. CrMo 하지층의 박막이 순수한 Cr 하지층에 비하여 약 200 Oe의 보자력 증가를 나타내었다. 하지만 Si을 첨가하였을 경우엔 첨가량의 증가에 따라 보자력이 점차 감소하는 것으로 나타났다. CrMo 하지층에서는Mo를 첨가함에 따라 Cr 하지츠의 (200)면의 결정배향성이 증가하였고, Mo를 첨가한 Cr(200)과 CoCrTa(110)의lattice misfit가 Si을 첨가한 경우보다 작았고, 이것이 보자력 증가의 원인이었다.