A Protocol of Cobalt(II)-Based Chemical Treatment for Suppressing Post-harvest Gravitropic Response of Snapdragon (Antirrhinum majus L .) Flower Stalks

코발트 염을 이용한 금어초 절화의 수확 후 굴지성 반응 억제

It was previously reported that cobalt(II) effectively suppresses the postharvest gravitropic response of snapdragon (Antirrhinum majus L.) (Kim et al. (1997) Agric. Chem. and Biotechnol. 40, 567-571). In this study, several factors affecting the suppression of the gravitropic response by cobalt ion were examined. When flower stalks of snapdragon were pretreated with several different cobalt salts, cobalt nitrate turned out to be the most effective not only in reducing the response but also in preserving the flower quality. We also tested the effects of various detergents which were added to cobalt(II) solution, finding that Tween-40 was the best among the tested with respect to the effectiveness as well as the flower quality. Based on these results, we optimized a protocol for the chemical treatment; that is, a suppressor solution containing 10 mM $CO(NO_3)_2$ and 0.05% Tween-40 was directly sprayed on the gravitropically sensitive region of cut flowers of snapdragon. The suppressor treatment gave rise to a significantly improved results when the flower stalks were stored at a lower temperature after the chemical treatment.

화경이 긴 절화 등에서 문제가 되는 절화의 수확 후 저장 및 수송기간 중 굴지성 반응을 억제하기 위한 실용적 방법을 개발하고자 본 연구를 수행하였다. 에틸렌 합성 저해제인 코발트 염이 효과적으로 굴지성 반응을 억제한다는 저자들의 이전 보고에 의거하여 본 연구에서는 코발트 염을 주성분으로 하는 굴지성 반응억제제와 그 처리법을 확립하기 위한 일련의 실험을 수행하였다. 굴지성 반응 억제제에 첨가되는 계면활성제로는 수종의 계면활성제를 대상으로 조사한 굴지성 반응 억제효과 및 절화품질에 미치는 영향에 근거하여 Tween-40이 선발되었으며 처리농도로는 0.05%가 적절하다는 것을 확인하였다 코발트염의 음이온 종류에 따른 절화 굴지성 반응 억제효과를 검정한 결과 $CO(NO_3)_2$가 비교적 절화의 품질을 저하시키지 않고 굴지성 반응 억제효과를 증가시키는 것으로 나타났다. 굴지성 반응억제제 처리방법을 개선하기 위하여 절화의 굴지성 반응부위를 직접 억제액에 담그는 침지법과 수평으로 놓인 절화의 굴지성 반응부위에 분무하는 방법등을 시험하였으며 그 결과 처리방법이 간편하고 노동력의 투여가 적은 분무법이 침지법에 비하여 처리효과가 전혀 뒤지지 않았다. 10 mM $CO(NO_3)_2$와 0.05% Tween-40으로 이루어진 억제제를 처리한 금어초 절화의 굴지성 반응 속도를 측정한 결과, 억제제 처리효과는 절화의 굴지성 반응 지연효과임을 관찰할 수 있었고, 절화를 $10^{\circ}C$정도의 저온에서 보관하는 저온처리와 병행하였을때 이러한 지연효과를 증진시킬 수 있음을 확인하였다.