High speed에 필요한 PLL charge pump 회로 설계 및 세부적인 성능 평가

The design of a charge pump for the high speed operation of PLL circuits

본 논문에서는 charge pump 회로를 차동 전류 스위치 구조를 갖는 회로를 사용하여 설계하였다. charge pump 회로의 스위칭 속도를 향상시키기 위하여 CMOS 보다 스위칭 속도가 빠른 MESFET를 이용하여 회로를 설계하였다. 차동 전류 스위치 구조의 charge pump회로가 고주파수 대역에서 동작하는데 따른 회로의 성능 및 안정성 문제를 제시하고 분석하였다. 또한 charge pump 회로의 성능을 평가하기 위한 척도를 세부적으로 정의함으로써 charge pump의 성능을 표현하게 된다. 설계된 회로는 HSPICE 시뮬레이터를 사용하여 시뮬레이션 하였으며, 시뮬레이션 결과 본 논문에서 제시한 구조가 1GHz급의 charge pump 회로로 설계가 가능하다는 것을 알 수 있었다.

In this paper, we designed a charge pump with a differential current switching structure and it was made of a MESFET with high speed switching Property compared with CMOSFETs. The charge pump with a differential current switching structure is analyzed about operating property of circuit in high frequency band. Also we propose a method on it's characteristics estimation. The designed circuit is simulated by HSPICE simulator, and in view of the results we think that the charge pump of this study can be used in circuits of 1 GHZ frequency band grade.